Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "85.40.-e" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Reducing Leakage Power for SRAM Design Using Sleep Transistor
Autorzy:
Khandelwal, S.
Akashe, S.
Sharma, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399668.pdf
Data publikacji:
2013-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.40.-e
Opis:
Low power design is the industry buzzword these days in present chip design technologies. Caches occupy around 50% of the total chip area and consume considerable amount of power. This project's focus is to reduce leakage power consumption of an 8 kbit SRAM by employing techniques like power gating. The main technique used in power gating is the use of sleep transistor. In our design we have chosen a stack-based implementation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 2; 185-187
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies