Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Adhikari, R." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
A review of the current state-of-the-art in Fano resonance-based plasmonic metal-insulator-metal waveguides for sensing applications
Autorzy:
Adhikari, R.
Chauhan, D.
Mola, G. T.
Dwivedi, R. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2063886.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
coupled resonator
Fano resonance
finite element method
plasmonic nanosensor
sensitivity
waveguide
Opis:
Fano resonance is an optical effect that emerges from the coherent coupling and interference (constructive and destructive) between the continuous state (background process) and the Lorentzian state (resonant process) in the plasmonic waveguide-resonator system. This effect has been used in the applications like optical sensors. These sensors are extensively used in sensing biochemicals and gases by the measurement of refractive index changes as they offer high sensitivity and ultra-high figure of merit. Herein, we surveyed several plasmonic Fano sensors with different geometries composed of metal-insulator-metal waveguide(s). First, the resonators are categorized based on different architectures. The materials and methods adopted for these designs are precisely surveyed and presented. The performances are compared depending upon the characterization parameters like sensitivity and figure of merit. Finally, based on the survey of very recent models, the advances and challenges of refractive index sensing deployed on Fano resonances are discussed.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2021, 29, 4; 148--166
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Two-Probe Measurements of Electron Transport in GaN:Si/(Ga,Mn)N/GaN:Si Spin Filter Structures
Autorzy:
Kalbarczyk, K.
Foltyn, M.
Grzybowski, M.
Stefanowicz, W.
Adhikari, R.
Li, Tian
Kruszka, R.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Bonanni, A.
Dietl, T.
Sawicki, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1398574.pdf
Data publikacji:
2016-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.25.Dc
73.40.Cg
73.43.Qt
78.55.Cr
Opis:
Results of two-probe magnetoresistance studies in GaN:Si/(Ga,Mn)N/GaN:Si prospective spin filter structures are reported. It is postulated that transport characteristics are strongly influenced by highly conductive threading dislocations and that shrinking of the device size partially mitigates the issue. Simultaneously, maxima at ≈1500 Oe on overall weak, up to 2%, negative magnetoresistance are seen at low temperature, whose origin has been tentatively assigned to effects taking place at the contacts areas.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1196-1198
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies