Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "LW" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Electroresistance of Electrically Nonhomogeneous La$\text{}_{0.67}$Ca$\text{}_{0.33}$MnO$\text{}_{3}$/MgO Thin Films
Autorzy:
Kiprijanovič, O.
Lučun, A.
Ašmontas, S.
Anisimovas, F.
Butkutė, R.
Maneikis, A.
Sužiedėlis, A.
Vengalis, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047239.pdf
Data publikacji:
2007-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.50.Gr
73.50.Lw
73.63.Bd
Opis:
Current and electrical field-induced electroresistive effects were investigated for La$\text{}_{0.67}$Ca$\text{}_{0.33}$MnO$\text{}_{3}$/MgO thin films demonstrating nanosized electrical inhomogeneities. Two different models based on enhanced conductivity of intergrain boundaries by injecting spin-polarized carriers from ferromagnetic grains and electrical field-enhanced hopping of carriers in high resistance intergrain media were carried out to explain nonlinear electrical properties of the films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 111, 1; 141-146
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mesoscopic Structures for Microwave-THz Detection
Autorzy:
Sužied.elis, A.
Ašmontas, S.
Požela, J.
Kundrotas, J.
Širmulis, E.
Gradauskas, J.
Kozič, A.
Kazlauskaité, V.
Anbinderis, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813189.pdf
Data publikacji:
2008-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.21.Fg
73.40.Kp
73.50.Lw
73.63.Kv
Opis:
Properties of microwave detectors of various design on the base of MBE grown GaAs and AlGaAs structures are discussed in this paper: simple asymmetrically shaped structures with heavily doped GaAs and AlGaAs layers of nanometric thickness as well as diodes with two-dimensional electron gas layers. Novel models of the detectors with partially gated two-dimensional electron gas layer as well as with small area GaAs/AlGaAs heterojuction are discussed to demonstrate different ways to increase the voltage sensitivity of the detectors of electromagnetic radiation in GHz-THz frequency range.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 803-809
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies