Autor: Valusis, G. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Hot-Electron Effects in High-Resistivity InSb
Autorzy:: Ašmontas, S.
Subačius, L.
Valušis, G.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929737.pdf
Data publikacji:: 1993-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.20.Ht
Opis:: We report that in the presence of random potential of the conduction band hot-electron transport can exhibit some novel features, some of which can be observed in dependencies of electric conductivity, mean electron energy and noise temperature on electric field strength.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 717-720
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Experimental Study of Optical Transitions in Be-Doped GaAs/AlAs Multiple Quantum Wells
Autorzy:: Kundrotas, J.
Čerškus, A.
Ašmontas, S.
Valušis, G.
Sherliker, B.
Halsall, M.
Harrison, P.
Steer, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1178273.pdf
Data publikacji:: 2005-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.35.-y
78.55.-m
Opis:: We present a photoluminescence study of optical transitions in Be acceptor-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells at room and liquid nitrogen temperatures. We investigate excitonic spectra and reveal acceptor-impurity induced effects in multiple quantum wells having different width.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 245-249
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Broad Band THz Sensing by 2DEG Bow-Tie-Type Diodes
Autorzy:: Valušis, G.
Seliuta, D.
Tamošiūnas, V.
Širmulis, E.
Balakauskas, S.
Gradauskas, J.
Sužiedėlis, A.
Ašmontas, S.
Anbinderis, T.
Narkūnas, A.
Papsujeva, I.
Lisauskas, A.
Roskos, H. G.
Köhler, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2041684.pdf
Data publikacji:: 2005-01
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.50.-h
85.30.De
72.30.+q
Opis:: We suggest a novel approach to detect broad band, 0.078-2.52 THz, electromagnetic radiation at room temperature using an asymmetrically-shaped bow-tie diode based on a modulation-doped GaAs/AlGaAs structure. We show that the voltage sensitivity in the range from 0.078 THz up to 0.8 THz has a plateau and its value is within 0.3-0.5 V/W. We consider the bow-tie diode design to increase the sensitivity of the device.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 184-187
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja