Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Oginskis, A." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Magnetoresistive Properties of Manganite-Based Heterojunctions
Autorzy:
Devenson, J.
Vengalis, B.
Lisauskas, V.
Oginskis, A.
Anisimovas, F.
Ašmontas, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807945.pdf
Data publikacji:
2009-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.70.-i
71.30.+h
73.50.-h
Opis:
Hole-doped $La_{2/3}Ba_{1/3}MnO_{3}$ (LBaMO), $La_{2/3}Ca_{1/3}MnO_{3}$ (LCaMO) and $La_{2/3}Ce_{1/3}MnO_{3}$ (LCeMO) thin films were grown heteroepitaxially on 0.1 wt.% Nb-doped $SrTiO_{3}(100)$ (STON) substrates by magnetron sputtering. The prepared LBaMO/STON, LCaMO/STON, LCeMO/STON heterostructures demonstrated nonlinear rectifying current-voltage characteristics. Negative magnetorestance values have been indicated at low bias, meanwhile bias-dependent magnetoresistance has been measured at positive bias voltage values U > U_d where U_d is the interfacial potential, corresponding to a steep current increase at a forward bias.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 6; 1130-1132
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Phase Separation and Microwave Response of Epitaxial and Polycrystalline Manganite Films
Autorzy:
Ašmontas, S.
Abrutis, A.
Gradauskas, J.
Lučun, A.
Oginskis, A.
Plaušinaitienė, V.
Sužiedėlis, A.
Vengalis, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2037115.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.47.Gk
75.47.Lx
07.57.Kp
Opis:
The resistance, magnetoresistance, and resistance response under microwave irradiation (f=10 and 35 GHz) were measured for epitaxial and polycrystalline La$\text{}_{0.67}$Ca$\text{}_{0.33}$MnO$\text{}_{3}$ and La$\text{}_{0.67}$Sr$\text{}_{0.33}$MnO$\text{}_{3}$ thin films in the temperature range 78÷300 K. The microwave induced resistance increase observed for the epitaxial films in a narrow temperature range below the ferromagnetic to paramagnetic transition temperature T$\text{}_{c}$ certifies coexistence of low resistance (ferromagnetic) and high resistance (paramagnetic) regions in the manganites. Resistance of polycrystalline films decreased under microwave irradiation in a wide temperature range below T$\text{}_{c}$. The effect was explained in terms of microwave assisted hopping of carriers in high resistance regions formed at grain boundaries of the polycrystalline films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 1-2; 141-147
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies