Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Żukowski, O." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Surface Properties of Me/Si Structures Prepared by Means of Self-Ion Assisted Deposition
    Autorzy:
    Tashlykov, I.
    Żukowski, P.
    Mikhalkovich, O.
    Baraishuk, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1198974.pdf
    Data publikacji:
    2014-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.uf
    82.80.-d
    62.20.Qp
    Opis:
    In this paper a composite structure, topography, wettability and nanohardness of a (100) Si surface modified by means of ion-assisted deposition of metal (Me) coatings in conditions of a self-irradiation are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1306-1308
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Annealing on the Electrical Properties οf Cz-Si Wafers Previously Subjected to the Hydrogen Ion-Beam Treatment
    Autorzy:
    Fedotov, A.
    Korolik, O.
    Mazanik, A.
    Kołtunowicz, T.
    Żukowski, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1503985.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.uf
    81.40.Ef
    Opis:
    The main goal of this work is to establish the influence of annealing on the properties of Cz-Si wafers previously subjected to the hydrogen ion-beam treatment at 25 or 300-350°C. It is demonstrated by the conducted study that, despite similarity in the effects of the hydrogen ion-beam treatment at different temperatures on some electrical properties of the wafers (photovoltage spectra, thermoelectromotive force sign), thermal stability of changes in these properties due to the hydrogen ion-beam treatment depends on the hydrogenation temperature.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 108-110
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Presence of Inductivity in $(CoFeZr)_x(PZT)_{1-x}$ Nanocomposite Produced by Ion Beam Sputtering
    Autorzy:
    Kołtunowicz, T.
    Żukowski, P.
    Boiko, O.
    Fedotov, A.
    Larkin, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402211.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    62.23.Pq
    79.20.Rf
    81.40.Ef
    72.80.Le
    Opis:
    This paper presents the investigations of the electrical properties of the $(CoFeZr)_{x}(PZT)_{1-x}$ nanocomposite with the metallic phase content x=43.8 at.%, which was produced by ion beam sputtering. Such preparation took place under an argon atmosphere with low oxygen content with its partial pressure $P_{O_2} = 2 \times 10^{-3} Pa$. The measurements were performed using alternating current within the frequency range of 50 Hz-10⁵ Hz for measuring temperatures ranging from 238 K to 328 K. The $(CoFeZr)_{43.8}(PZT)_{56.2}$ nanocomposite sample subjected to a 15 min annealing process in air at the temperature Tₐ=423 K demonstrates a phase angle of -90° ≤ θ ≤ 0° in the frequency range 50 Hz-10⁵ Hz. It corresponds to the capacitive type of conduction. In the frequency range 10⁴-10⁵ Hz sharp minima in selected conductivity vs. frequency characteristics occur, which corresponds to a current resonance phenomenon in RLC circuits. In case of a sample annealed at Tₐ=498 K the inductive type of conduction with 0° ≤ θ ≤ +90° occurs in a high frequency area. At the frequency $f_{r}$ characterized by the phase angle θ = 0°, the capacity value reaches its local minimum. It indicates a voltage resonance phenomenon in conventional RLC circuits. The θ = +90° crossing in the frequency dependence of phase angle corresponds to the current resonance phenomenon, which is represented by a strong local minimum in the conductivity vs. frequency characteristics.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 853-856
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies