Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Lukasiewicz, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-12 z 12
    Tytuł:
    Wpływ promieniowania jonizującego na własności optyczne wybranych kryształów typu ABO3
    Ionizing radiation effect on optical properties of some ABO3 crystals lithium niobate (LN) and yttrium alumina (YAP)
    Autorzy:
    Potera, P.
    Łukasiewicz, T.
    Świrkowicz, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192068.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    kryształ tlenkowy
    ABO3
    własności optyczne
    oxide crystal
    optical properties
    Opis:
    Praca stanowi syntetyczne ujęcie zagadnień związanych z kompleksowymi badaniami wpływu promieniowania (kwanty gamma, UV, elektrony, szybkie neutrony) na własności optyczne niedomieszkowanych i domieszkowanych wieloskładnikowych kryształów tlenkowych typu ABO3, otrzymanych w ITME: perowskitu itrowo-glinowego i niobianu litu. Zmiany własności optycznych tych kryształów wkutek napromieniowania są wynikiem powstawania centrów barwnych, zarówno poprzez zmianę stanu ładunkowego defektów wzrostowych jak i tworzenia się defektów radiacyjnych w wyniku przemieszczenia atomów.
    Comprehensive results of researches about influence of gamma quanta, UV, electrons and fast neutrons radiation on optical properties of undoped and doped multicomponents oxide single crystals ABO3 type: yttrim alumina perovskit (YAP) and lithium nobate (LN). Changes of optical properties as effect of radiation are result of colour centre creation by means of electric charge in genetic defects changes or creation of radiation defects with displacement.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 1, 1; 5-58
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wzrost politypu 3C-SiC z roztworu metodą TSSG
    Solution growth of 3C-SiC by TSSG method
    Autorzy:
    Raczkiewicz, M.
    Tymicki, E.
    Łukasiewicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192158.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    polityp 3C
    SiC
    wzrost z roztworu
    polytype 3C
    solution growth
    Opis:
    W tej pracy przedstawiono metodę wzrostu węglika krzemu politypu 3C. Jako zarodki posłużyły monokrystaliczne płytki węglika krzemu o politypach heksagonalnych 4H-SiC oraz 6H-SiC. Zbadano wzrost na płaszczyznach o orientacji (0001) oraz (000-1). Określony został zakres temperatur, pozwalający na otrzymanie struktur o wysokiej jednorodności politypowej, która została potwierdzona analizą fazową otrzymanego materiału oraz pomiarami widma Ramana.
    In this paper, solution growth of 3C-SiC was demonstrated. Monocrystalline 4H-SiC and 6H-SiC wafers were used as seeds. Growth was observed on (0001) and (000-1) planes. The temperature range enabling the fabrication of 3C-SiC structures of high polytypic homogeneity was determined and 3C-SiC growth was confirmed by XRD and Raman spectroscopy.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 2, 2; 4-11
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Investigation of oxide crystals by means of synchrotron and conventional X-ray diffraction topography
    Badanie monokryształów tlenkowych za pomocą synchrotronowej i konwencjonalnej rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej
    Autorzy:
    Wierzchowski, W.
    Malinowska, A.
    Wieteska, K.
    Wierzbicka, E.
    Mazur, K.
    Lefeld-Sosnowska, M.
    Świrkowicz, M.
    Łukasiewicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192397.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    X-ray diffraction topography
    crystal lattice defects
    Czochralski method
    dyfrakcyjna topografia rentgenowska
    defekty sieci krystalicznej
    metoda Czochralskiego
    Opis:
    X-ray diffraction topography, exploring both conventional and synchrotron sources of X-rays, has been widely used for the investigation of the structural defects in crystals of oxides. The majority of bulk oxide crystals have been grown by the Czochralski method from a melted mixture of high purity oxides. Some important oxide crystals like quartz and ZnO have been obtained by the hydrothermal method. In the case of crystals grown by the first method, synchrotron diffraction topography can be and was used for studying individual dislocations and their complexes (e.g. glide bands, sub-grain boundaries), individual blocks, twinning, the domain structure and various segregation effects negatively affecting crystal properties. What is more, the topographical investigation can provide information concerning the reasons for the generation of the defects, which becomes useful for improving the growth technology. In the present paper the possibilities of the diffraction topography are discussed on the basis of several investigations of the oxide crystals, in particular garnets, orthovanadates, mixed calcium barium and strontium niobates as well as praseodymium lanthanum aluminates. the majority of the results refer to oxide crystals grown at the Institute of Electronic Materials Technology (ITME). The synchrotron investigations included in the paper were performed by the authors at the HASYLAB Synchrotron Laboratory in Hamburg.
    Rentgenowska topografia dyfrakcyjna, wykorzystująca zarówno konwencjonalne, jak i synchrotronowe źródła promieniowania rentgenowskiego, jest od wielu lat z powodzeniem stosowana do badania defektów strukturalnych w różnego rodzaju monokryształach. Szeroką grupę tych materiałów stanowią kryształy tlenkowe, które w większości są otrzymywane metodą Czochralskiego ze stopionej mieszaniny tlenków o wysokiej czystości. Do otrzymywania kryształów tlenków, takich jak kwarc i ZnO, stosuje się metodę hydrotermalną. rentgenowska topografia dyfrakcyjna może być wykorzystana do badania indywidualnych dyslokacji i ich kompleksów (np. pasma poślizgowe, granice niskokątowe), pojedynczych bloków, zbliźniaczeń, struktury domenowej i różnych efektów segregacyjnych. Wszystkie te defekty mogą wpływać negatywnie na jednorodność i właściwości kryształów. Badania topograficzne mogą również dostarczyć informacji dotyczących przyczyn powstawania defektów, co przydatne jest w doskonaleniu technologii. W niniejszej pracy omówiono możliwości topografii dyfrakcyjnej na podstawie przeprowadzonych badań szeregu kryształów tlenkowych, w szczególności granatów, ortowanadianów, mieszanych niobianów wapnia, baru i strontu oraz glinianów prazeodymu i lantanu. Większość wyników dotyczy monokryształów tlenków otrzymywanych w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych (ITME). uwzględnione badania synchrotronowe zostały przeprowadzone przez autorów w Laboratoriom Synchrotronowym HASYLAB w Hamburgu.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 4, 4; 17-32
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Defect Structure Formed at Different Stages οf Growth Process in Erbium, Calcium and Holmium Doped $YVO_{4}$ Crystals
    Autorzy:
    Malinowska, A.
    Wierzbicka, E.
    Lefeld-Sosnowska, M.
    Wieteska, K.
    Wierzchowski, W.
    Łukasiewicz, T.
    Świrkowicz, M.
    Graeff, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1538950.pdf
    Data publikacji:
    2010-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ff
    Opis:
    The defect structure of $YVO_{4}$ single crystals doped with $Er^{3+},$ $Ho^{3+}$ and $Ca^{2+}$ were studied by X-ray diffraction topographic methods, using laboratory and synchrotron radiation sources. Variously developed block structure was the dominating imperfection of the investigated crystals observed both in conventional Lang and synchrotron topographs. The evaluation of block misorientation was realised by means of superimposed projection and section white beam synchrotron radiation topographs. More possibilities of following the mutual rotation of blocks were provided by means of white beam synchrotron radiation WBSR projection topographs exposed through the fine mesh.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 328-331
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Characterisation of the Defect Structure in Gadolinum Orthovanadate Single Crystals Grown by the Czochralski Method
    Autorzy:
    Wierzbicka, E.
    Malinowska, A.
    Wieteska, K.
    Wierzchowski, W.
    Lefeld-Sosnowska, M.
    Świrkowicz, M.
    Łukasiewicz, T.
    Paulmann, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1431600.pdf
    Data publikacji:
    2012-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ff
    Opis:
    The $GdVO_4$ single crystals, both undoped and doped with erbium or thulium, were studied by means of X-ray diffraction topographic methods exploring laboratory and synchrotron radiation sources. Variously developed block structure, caused probably by thermal stresses, was revealed. The highest crystallographic perfection was observed in the crystal doped with 4 at.% of thulium, which was free of the grain boundaries in the end part. Contrary to that, the differences in structural perfection between samples cut out from various regions of the crystal and for different kinds of doping, were less distinct in other crystals. The diffraction topographic methods enabled the statement that the misorientation between various blocks is in the range of several arc minutes.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 906-909
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    X-Ray Topographic Studies of Defect Structure in $YVO_4$ Crystals
    Autorzy:
    Wieteska, K.
    Wierzchowski, W.
    Łukasiewicz, T.
    Wierzbicka, E.
    Malinowska, A.
    Lefeld-Sosnowska, M.
    Graeff, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1812259.pdf
    Data publikacji:
    2008-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ff
    Opis:
    The perfection of $YVO_4$ crystals, which are predicted to replace formerly used YAG garnets due to higher quantum efficiency and lower excitation level, was studied. The investigations of Czochralski grown undoped $YVO_4$ single crystals were performed mainly by means of X-ray topographic methods. Both synchrotron and conventional X-ray sources were used. The study revealed relatively high density of weak point-like contrasts which can be most probably interpreted as dislocation outcrops. In regions of the crystal close to its boundary we observed glide bands. It was also found that in some regions the dislocations form local subgrain boundaries. The white beam back reflection and monochromatic beam topography allowed to evaluate a local misorientation which not exceeded several angular minutes. No segregation fringes were observed proving a good homogeneity of chemical composition.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 2; 455-461
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of ~^-radiation on Dy[3+] doped LiNbO[3] single crystals
    Autorzy:
    Kaczmarek, S. M.
    Łukasiewicz, T.
    Pracka, I.
    Jabłoński, R.
    Boulon, G.
    Kaczmarek, B.
    Warchoł, S.
    Powiązania:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej 1998, nr 7-8, s. 101-112
    Data publikacji:
    1998
    Tematy:
    Monokryształy
    Kryształy
    Promieniowanie
    Chemia
    Opis:
    Wpływ promieniowania gamma na domieszkowane Dy[3+] monokryształy LiNbO[3].
    Rys.; bibliogr.; Abstr., Rez., streszcz.
    Dostawca treści:
    Bibliografia CBW
    Artykuł
    Tytuł:
    Synchrotron Diffraction topography in Studying of the Defect Structure in Crystals Grown by the Czochralski Method
    Autorzy:
    Wierzchowski, W.
    Wieteska, K.
    Malinowska, A.
    Wierzbicka, E.
    Lefeld-Sosnowska, M.
    Świrkowicz, M.
    Łukasiewicz, T.
    Pajączkowska, A.
    Paulmann, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399483.pdf
    Data publikacji:
    2013-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ff
    Opis:
    The synchrotron diffraction topography had been widely used for investigation of the structural defects in crystals grown by the Czochralski method. Similarly as conventional diffraction topography, the synchrotron topography consists in recording with high spatial resolution of the beam formed by the Bragg reflection from the crystal. The advantages of synchrotron sources come from the possibilities of using the wavelength from a wide spectral range, improved high spatial resolution and collimation of the beam as well as from shortening the time necessary for the investigation. The synchrotron diffraction topography includes experimentally simpler white beam topography and more complicated monochromatic beam (multicrystal) topography, where the beam is formed by monochromators. In the case of Czochralski-grown crystals the synchrotron diffraction topography can be used for studying of the individual dislocations and their complexes such as glide bands or sub-grain boundaries, individual blocks, twinning, the domain structure and various segregation effects negatively affecting crystal properties. In addition, the topographical investigation can provide information concerning the reasons for the generation of defects, useful in the improving of the technology. In the present paper the possibilities of the synchrotron diffraction topography are discussed on the basis of several investigations of the Czochralski-grown oxide and semiconductor crystals, performed by the authors at HASYLAB. The majority of the results concern the oxide crystals grown at the Institute of Electronic Materials Technology, in particular garnets, orthovanadates, mixed calcium barium and strontium niobates as well as praseodymium lanthanum aluminates.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 2; 350-359
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej
    15R-SiC inclusions in 4H- and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method
    Autorzy:
    Tymicki, E.
    Raczkiewicz, M.
    Racka, K.
    Grasza, K.
    Kościewicz, K.
    Diduszko, R.
    Mazur, K.
    Łukasiewicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192088.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    SiC
    15R-SiC
    wtrącenie politypowe
    metoda PVT
    polytype inclusion
    PVT method
    Opis:
    W pracy zaprezentowano wyniki eksperymentów, mających na celu określenie warunków wzrostu kryształów 4H- oraz 6H-SiC wolnych od wtrąceń politypu 15R-SiC. Kryształy SiC otrzymane w procesie krystalizacji metodą transportu fizycznego z fazy gazowej (PVT) zostały zbadane przy użyciu metod badawczych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), dyfrakcja elektronów wstecznie rozproszonych (EBSD), mikroskopia optyczna oraz trawienie chemiczne, pod kątem występowania wtrąceń politypu 15R w strukturach krystalicznych 4H- oraz 6H-SiC. Otrzymane wyniki badań zostały odniesione do parametrów wzrostu tj.: temperatury, ciśnienia, rodzaju materiału wsadowego, oraz jakości i orientacji monokrystalicznego zarodka SiC. Przeprowadzona została dyskusja na temat wpływu warunków wzrostu na powstawanie politypu 15R, z której jednoznacznie wynika, że tworzenie się wtrąceń politypowych 15R w strukturach 4H i 6H wiąże się ze znacznym spadkiem jakości strukturalnej otrzymanych kryształów. Z przeprowadzonych badań wynika, że otrzymanie jednorodnych kryształów politypu 6H i 4H bez wtrąceń 15R-SiC metodą PVT jest trudne ze względu na bardzo szeroki zakres warunków, w których polityp 15R występuje.
    In this paper the main problems which have to be resolved to obtain 4H- and 6H-SiC crystals free from 15R-SiC inclusions by the physical vapour transport method (PVT) are presented. The resultant SiC crystals have been investigated using various experimental methods such as X-ray diffraction (XRD), electron backscatter diffraction (EBSD), optical microscopy and KOH etching in order to check the quality of the crystal structure and the amount of the 15R-SiC inclusions. The obtained results have been analysed with reference to the following growth conditions: temperature, pressure, type of the SiC source material and the quality of the crystal seed. The investigations have showed that a serious deterioration of the structural quality is unavoidable when the 15R-SiC polytype occurs in hexagonal polytypes such as 4H- and 6H-SiC. Obtaining homogenious 4H-SiC and 6H-SiC crystals without any 15R-SiC inclusions by the PVT method is difficult due to there being a very wide range of conditions in which the 15R-SiC polytype appears.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 17-27
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    X-ray Topographic Investigations of Domain Structure in Czochralski Grown $Pr_{x}La_{1-x}AlO_{3}$ Crystals
    Autorzy:
    Wieteska, K.
    Wierzchowski, W.
    Malinowska, A.
    Turczyński, S.
    Lefeld-Sosnowska, M.
    Pawlak, D.
    Łukasiewicz, T.
    Graeff, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1538809.pdf
    Data publikacji:
    2010-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.-t
    81.10.Dn
    61.72.Ff
    Opis:
    In the present paper X-ray diffraction topographic techniques were applied to a number of samples cut from Czochralski grown $Pr_{x}La_{1-x}AlO_{3}$ crystals with different ratio of praseodymium and lanthanum. Conventional and synchrotron X-ray topographic investigations revealed differently developed domain structures dependent on the composition of mixed praseodymium lanthanum aluminium perovskites. Some large mosaic blocks were observed together with the domains. In the best crystals, X-ray topographs revealed striation fringes and individual dislocations inside large domains. Synchrotron topographs allowed us to indicate that the domains correspond to three different crystallographic planes, and to evaluate the lattice misorientation between domains in the range of 20-50 arc min.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 268-271
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Synchrotron Topographic Studies of Domain Structure in Czochralski Grown $Pr_xLa_{1-x}AlO_3$ and $Pr_xLa_{1-x-y}Mg_yAlO_3$ Crystals
    Autorzy:
    Wieteska, K.
    Wierzchowski, W.
    Malinowska, A.
    Turczyński, S.
    Lefeld-Sosnowska, M.
    Pawlak, D.
    Łukasiewicz, T.
    Paulmann, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1431651.pdf
    Data publikacji:
    2012-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.-t
    81.10.Dn
    61.72.Ff
    Opis:
    A domain structure and crystallographic defects in Czochralski grown single crystals of $Pr_xLa_{1-x}AlO_3$ and $Pr_xLa_{1-x-y}Mg_yAlO_3$ were characterised with a number of methods including conventional and synchrotron X-ray diffraction topography, and polariscopic micrography. The observed twin domain systems were located perpendicularly to 〈100〉$\text{}_\text{pcub}$ and 〈110〉$\text{}_\text{pcub} (pseudocubic) directions. It has been confirmed that the domains are of the same orientation and a twin character as those described in literature for $LaAlO_3$ and $LaGaO_3$ crystals. The use of section transmission topography enabled to indicate that the domains are perpendicular to the $(100)_\text{pcub}$ surface of the samples. The misorientation of lattice in the domains was evaluated from the white beam topographs and a tendency of its increase with increasing concentration of praseodymium was revealed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 910-914
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Spectroscopic and Laser Properties of LiNbO$\text{}_{3}$:Dy$\text{}^{3+}$ Crystals
    Autorzy:
    Malinowski, M.
    Myziak, P.
    Piramidowicz, R.
    Pracka, I.
    Łukasiewicz, T.
    Surma, B.
    Kaczmarek, S.
    Kopczyński, K.
    Mierczyk, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1945542.pdf
    Data publikacji:
    1996-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Ht
    78.40.Ha
    78.47.+p
    78.55.Hx
    Opis:
    The spectroscopic properties of trivalent dysprosium (Dy$\text{}^{3+}$) doped LiNbO$\text{}_{3}$ crystals have been investigated at various temperatures. Absorption, emission, excitation and lifetime measurements have been performed and discussed in the framework of Judd-Ofelt approach. The stimulated emission cross sections of the strongest transitions of Dy $\text{}^{3+}$ ion have been estimated. A stimulated emission has been demonstrated in the near infrared.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 1; 181-189
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-12 z 12

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies