Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "ruchliwość dryftowa elektronów" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Electron drift mobility in amorphous antrachinone layers
    Ruchliwość dryftowa elektronów w amorficznych warstwach antrachinonu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296452.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    amorficzne warstwy antrachinonu
    ruchliwość dryftowa elektronów
    transport nośników ładunku
    amorphous antrachinone films
    electron drift mobility
    carrier transport
    Opis:
    There were investigated the magnitude of the mobility and the type of the mechanism of the electron transport in the amorphous antrachinone layers. Antrachinone (C14H8O2) is the molecular crystal. The antrachinone molecules are planar, centrosymmetric and posses permanent dipole moment practically equal zero. The antrachinone layerss were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with reduced substrate temperatures. Structural examination of the obtained antrachinone layers was made using X - ray diffraction. In order to attain that one employed an automatic diffractometer DAR. Drift electron mobility for obtained amorphous layers were determined with TOP method. Obtained mobility value, were less then 10-3 cm2 /Vs and activation energy value was on the kT level.
    Badano proces transportu elektronów w amorficznych warstwach antrachinonu. Uzyskane wyniki nie przesądzają jednoznacznie, z jakim rodzajem transportu mamy do czynienia. Niemniej uzyskane wyniki mogą sugerować występowanie również transportu hoppingowego, który wydaje się bardziej prawdopodobny, niż transport w paśmie z udziałem pułapek.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2010, 31; 43-50
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electron drift mobility in anthrone layers
    Dryftowa ruchliwość elektronów w warstwach antronu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296418.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    quasi-amorficzne warstwy antronu
    polikrystaliczne warstwy antronu
    ruchliwość dryftowa elektronów
    transport nośników ładunku
    quasi-amorphous anthrone films
    polycrystalline anthrone films
    electron drift mobility
    carrier transport
    Opis:
    There were investigated the magnitude of the mobility and the Type of the mechanism of the electron transport in the anthrone layers with a different grade of the structural order, namely in polycrystalline and quasi-amorphous layers. The anthron samples were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with different substrate temperatures and with different evaporation rates. Structural examination of the obtained anthrone layers was made using X-ray diffraction. Drift electron mobility for obtained polycrystalline and quasi amorphous layers were determined with TOP method. Obtained results show the almost lack of the mobility dependence due to the magnitude of the disorder, although the other results should be expected. Both obtained mobility values, were less then 10-2 cm2/Vs and activation energy value on the kT level but simultaneously estimated density of hopping states was relatively big. In this case it does not permit us to indicate the dominant transport mechanism.
    Badano proces transportu elektronów w warstwach antronu o różnym stopniu uporządkowania, to jest w warstwach polikrystalicznych i quasi-amorficznych. Pomiary ruchliwości wykonano metodą TOF. W przypadku antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano, że prawie nie występuje zależność ruchliwości od stopnia uporządkowania. Dla obu struktur uzyskano wartości ruchliwości mniejsze niż 10-2 cm2/Vs, z energią aktywacji ruchliwości rzędu kT. Mimo iż wielkości te przemawiają za transportem hoppingowym, to wydaje się, że otrzymane wartości gęstości stanów są na tyle duże, że należy się zastanowić, czy faktycznie mamy do czynienia z transportem przeskokowym w wąskim paśmie w pobliżu poziomu Fermiego. Poza tym nie obserwujemy wpływu struktury krystalicznej warstw na wielkość ruchliwości, chyba, że dla polikrystalicznych warstw gęstość stanów jest na tyle duża, że nie należy spodziewać się jej wzrostu. Powyższe skłania nas do stwierdzenia, że nie można jednoznacznie określić, z jakim rodzajem transportu dla elektronów mamy tu do czynienia.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2011, 32; 13-22
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies