- Tytuł:
- Preludium do wysokonapięciowych półprzewodników z szerokim pasmem zabronionym. Tranzystory IGBT nowej generacji – niskie poziomy indukcyjności, małe straty i miękkie przełączanie
- Autorzy:
- White, C.
- Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/304640.pdf
- Data publikacji:
- 2017
- Wydawca:
- Wydawnictwo Druk-Art
- Tematy:
-
tranzystory
półprzewodnik
urządzenie energoelektroniczne
semiconductor
transistor
power electronics - Opis:
- HITACHI, dostrzegając aktualne potrzeby rynku, wprowadza tranzystory IGBT nowej generacji w obudowie nHPD2 o niższych stratach mocy, niższej indukcyjności oraz wartościach EMI, torując jednocześnie drogę dla technologii półprzewodników WBG.
- Źródło:
-
Napędy i Sterowanie; 2017, 19, 1; 32-35
1507-7764 - Pojawia się w:
- Napędy i Sterowanie
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł