Wszystkie pola: CMOS Technology - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Multiple output CMOS current amplifier
Autorzy:: Pankiewicz, B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/201141.pdf
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: current amplifier
current follower
current mirror
CMOS technology
wzmacniacz prądowy
prąd
technologia CMOS
Opis:: In this paper the multiple output current amplifier basic cell is proposed. The triple output current mirror and current follower circuit are described in detail. The cell consists of a split nMOS differential pair and accompanying biasing current sources. It is suitable for low voltage operation and exhibits highly linear DC response. Through cell devices scaling, not only unity, but also any current gains are achievable. As examples, a current amplifier and bandpass biquad section designed in CMOS TSMC 90nm technology are presented. The current amplifier is powered from a 1.2V supply. MOS transistors scaling was chosen to obtain output gains equal to -2, 1 and 2. Simulated real gains are -1.941, 0.966 and 1.932 respectively. The 3dB passband obtained is above 20MHz, while current consumption is independent of input and output currents and is only 7.77μA. The bandpass biquad section utilises the previously presented amplifier, two capacitors and one resistor, and has a Q factor equal to 4 and pole frequency equal to 100 kHz.
Źródło:: Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2016, 64, 2; 301-306
0239-7528
Pojawia się w:: Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Projekt scalonego wzmacniacza ładunkowego na potrzeby przetwarzania typu Time-over-Threshold
Design of the integrated charge-sensitive amplifier for the Time-over-Threshold based processing
Autorzy:: Kasiński, K.
Szczygieł, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/157771.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: układ scalony
technologia CMOS
krzemowy detektor paskowy Time-over-Threshold
wzmacniacz ładunkowy
integrated circuit
CMOS technology
silicon strip detector
Time-over-Threshold
charge sensitive amplifier
CSA
Opis:: Praca przedstawia projekt scalonego wzmacniacza ładunkowego zaprojektowanego dla aplikacji w układzie do odczytu detektorów paskowych w eksperymencie fizyki wysokich energii wykorzystującego przetwarzanie typu Time-over-Threshold. Zastosowane rozwiązania zostały zapożyczone z układów pikselowych. Projekt wykonano dla technologii United Microelectronics Corporation 180 nm. Zaprojektowany wzmacniacz charakteryzuje się niskim poborem mocy, niskimi szumami a także bardzo szerokim zakresem liniowej pracy zachowując swoje właściwości dla obu polarności ładunków wejściowych.
New High Energy Physics experiments require new and better solutions for the detector readout systems. This paper presents the project of the charge sensitive amplifier (CSA) for the silicon strip detector readout chip implementing the Wilkinson-type analog to digital converter (called also Time-over-Threshold processing). This allows to implement the reasonable resolution and speed ADC in each channel while keeping the overall power consumption low. This is due to the fact that the information about the input charge is kept in the CSA output pulse length and can be then easily converted to digital domain. It has been designed for the UMC (United Micro-electronics Corporation) 180nm technology and should fit into 50 Μm pitch channel slot. Some solutions were adapted from the pixel-oriented integrated circuits and are optimized for much higher detec-tor capacitances. Presented charge sensitive amplifier shows very high dynamic range - much higher than required 0-16 fC. The dynamic range is not limited by the dynamic range of the amplifier itself which is a feature of the implemented discharge circuit. The processing chain has an ability to operate for both holes and electrons while keeping the low power consumption (625 ΜW) and low noise (720 e- at 30 pF detector capacitance). The paper presents the simulation-based performance of the circuit.
Źródło:: Pomiary Automatyka Kontrola; 2010, R. 56, nr 9, 9; 1043-1046
0032-4140
Pojawia się w:: Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "CMOS Technology" wg kryterium: Wszystkie pola

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język