Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "tantalum" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Production of High-Purity Tantalum Metal Powder for Capacitors Using Self-Propagating High-Temperature Synthesis
Autorzy:
Lee, Yong-Kwan
Sim, Jae-Jin
Byeon, Jong-Soo
Lee, Yong-Tak
Cho, Yeong-Woo
Kim, Hyun-Chul
Heo, Sung-Gue
Lee, Kee-Ahn
Seo, Seok-Jun
Park, Kyoung-Tae
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2049150.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
tantalum
self-propagating high-temperature synthesis
tantalum oxide
magnesium
capacitor
Opis:
In this study, high-purity tantalum metal powder was manufactured via self-propagating high-temperature synthesis. During the process, Ta2O5 and Mg were used as the raw material powder and the reducing agent, respectively, and given that combustion rate and reaction temperature are important factors that influence the success of this process, these factors were controlled by adding an excessive mass of the reducing agent (Mg) i.e., above the chemical equivalent, rather than by using a separate diluent. It was confirmed that Ta metal powder manufactured after the process was ultimately manufactured 99.98% high purity Ta metal powder with 0.5 μm particle size. Thus, it was observed that adding the reducing reagent in excess favored the manufacture of high-purity Ta powder that can be applied in capacitors.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2021, 66, 4; 935-939
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wetting and joining of HfB2 and Ta with Ni
Zwilżanie i łączenie HfB2 i Ta z Ni
Autorzy:
Sobczak, N.
Nowak, R.
Passerone, A.
Valenza, F.
Muolo, M. L.
Jaworska, L.
Barberis, F.
Capurro, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/391411.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Odlewnictwa
Tematy:
zwilżanie
połączenie
borek hafnu
tantal
nikiel
wetting
joining
hafnium boride
tantalum
nickel
Opis:
The wetting behavior of Ni on a HfB2/Ta assembly was examined in vacuum using dense HfB2 (99.5% purity) produced, without sintering aids, by HP-HT at 7 GPa. The real-time imaging by a high resolution digital camera and precise temperature control demonstrated solid-state Ni/HfB2 interaction resulting in metal contact melting at ˜ 1300°C. Ongoing heating, the in situ formed Ni-B alloy wets, spreads over HfB2 and penetrates the HfB2/Ta capillary interface to form a joint of complex graded structure and good bonding.
Przeprowadzono badania procesu zwilżania w próżni układu HfB2/Ta przez Ni. Zwarte próbki HfB2 (czystość 99.5%) otrzymano sposobem spiekania w wysokiej temperaturze bez dodatków aktywujących spiekanie, stosując wysokie ciśnienie 7 GPa. Rejestracja procesu zwilżania w czasie rzeczywistym za pomocą kamery cyfrowej o wysokiej rozdzielczości w połączeniu z zastosowanym precyzyjnym pomiarem temperatury wykazały, że intensywne oddziaływanie w parze Ni/HfB2 zachodzi podczas wspólnego nagrzewania w temperaturze kiedy Ni jest jeszcze w stanie stałym a nadtapianie metalu w obszarze kontaktu dwóch materiałów występuje już w temperaturze ˜ 1300°C. Następnie stop Ni-B, powstający in situ podczas nagrzewania, zwilża i rozpływa się po całej powierzchni HfB2, wypełniając szczelinę pomiędzy dwoma materiałami w parze HfB2/Ta, tworząc połączenie o złożonej strukturze gradientowej i dobrej wytrzymałości.
Źródło:
Prace Instytutu Odlewnictwa; 2010, 50, 2; 5-14
1899-2439
Pojawia się w:
Prace Instytutu Odlewnictwa
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies