Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Grzejszczak, P." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    The desctiption of turn-off process and evaluation of switching power losses in the ultra fast power MOSFET
    Autorzy:
    Grzejszczak, P.
    Barlik, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1193214.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    power MOSFET
    turn-off transient
    parasitic capacitance
    switching losses
    thermovision measurement
    Opis:
    The article presents an analytical description of the turn-off process of the power MOSFET suitable for use in high-frequency converters. The purpose of this description is to explain the dynamic phenomena occurring inside the transistor and contributing to the switching power losses. The detailed description uses the results of simulation studies carried out using a very precise model of the CoolMOS transistor manufactured by Infineon (IPW60R070C6). The theoretical analysis has been verified in experimental measurements of power dissipated during turn-off transient of MOSFET operating in a full bridge converter with switching frequency of 100 kHz. To estimate these switching losses an original thermovision method based on the measurement of heat dissipated in the power semiconductor switches has been used. The obtained results confirm the correctness of the conclusions drawn from the theoretical analysis presented in this paper.
    Źródło:
    Power Electronics and Drives; 2016, 1, 36/1; 55-67
    2451-0262
    2543-4292
    Pojawia się w:
    Power Electronics and Drives
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wybrane sposoby minimalizacji łączeniowych strat energii w wysokonapięciowych tranzystorach MOSFET pracujących z twardą komutacją
    Selected methods to reduce hard-switching losses in high voltage power MOSFETS
    Autorzy:
    Grzejszczak, P
    Barlik, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/160197.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    tranzystory MOSFET
    łączeniowe straty energii
    twarde załączanie
    ładunek wsteczny diod
    MOSFET
    switching losses
    hard commutation
    body diode reverse recovery charge
    Opis:
    W artykule przedstawiono wybrane sposoby ograniczania łączeniowych strat energii w tranzystorach MOSFET pracujących z twardą komutacją. Głównym źródłem strat energii w tym procesie jest ładunek wsteczny diod zwrotnych komplementarnych łączników w gałęzi. W badaniach właściwości dynamicznych strukturalnych diod zwrotnych wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET wykazano ścisłą zależność ładunku wstecznego od długości czasu martwego w gałęzi przekształtnika. W związku z powyższym zaproponowano sposób minimalizacji dynamicznych strat energii przez dostosowanie czasu martwego w gałęziach przekształtnika do wartości prądu przełączanego przez tranzystory. Wyniki badań zaprezentowano dla tranzystorów MOSFET wykonanych w różnych technologiach
    In this paper, selected methods to reduce switching losses in Power MOSFETs under hard switching operation were presented. The main part of these switching losses in two switches branch is body diode reverse recovery charge. Studies have demonstrated the dependence of the reverse recovery charge on the dead time length. Accordingly, the proposed methods of minimizing switching losses by adjusting the dead time length to switching current value. Simulation studies have shown a significant reduction in switching losses in the dual active bridge after applying the control algorithm with a variable dead time.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2015, 270; 5-13
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies