Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Hatzopoulos, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Interconnections coupling through substrate for frequencies up to 100 GHz
Autorzy:
Gerakis, V
Hatzopoulos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397752.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
substrate noise
interconnect coupling
substrate doping
S-parameters
Z-parameters
zakłócenia podłożowe
domieszkowanie substratu
parametry rozproszenia
parametry impedancji
Opis:
This work presents a study on the substrate noise coupling between two interconnects. A highly, a lightly and a uniformly doped substrate, approximating most modern technologies, are described. The three different doping profiles are simulated for various interconnect distances and different metal layers assuming a 65 nm bulk CMOS technology. A proper data analysis methodology is presented, including z and s parameters extraction and de-embedding procedure.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2014, 5, 4; 144-148
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Automated substrate resistance extraction in nanoscale VLSI by exploiting a geometry-based analytical model
Autorzy:
Bontzios, Y. I.
Dimopoulos, M. G.
Hatzopoulos, A. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/398110.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
szum podłożowy
układ scalony
modelowanie geometryczne
pochodzenie oporu
modelowanie oporu
zasilanie pasożytnicze
substrate noise
integrated circuits
geometric modeling
resistance extraction
resistance modeling
parasitics
Opis:
In this work, a new automated method for determining the substrate resistance is presented. It exploits a geometric formulation of the current streamlines between coupled structures and builds an analytical model for the substrate resistance. Both simulation and measurement data are utilized in order to show the validity of the proposed scheme. The measurement data are obtained from a fabricated test chip. The results show that the proposed method succeeds in computing the substrate resistance while the average error falls within 5%.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2011, 2, 3; 81-87
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies