Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "silicon solar cell" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Temperature Effect on Performance of Different Solar Cell Technologies
    Autorzy:
    Adeeb, Jehad
    Farhan, Alaa
    Al-Salaymeh, Ahmed
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/124356.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Inżynierii Ekologicznej
    Tematy:
    solar cell
    photovoltaics
    temperature effect
    multicrystalline silicon solar cell
    amorphous silicon solar cell
    monocrystalline
    Opis:
    One of the main parameters that affect the solar cell performance is cell temperature; the solar cell output decreases with the increase of temperature. Therefore, it is important to select the proper solar cell technology that performs better at a specified location considering its average temperatures. In addition, the solar cell performance is directly reflected on the overall economics of the project. This paper is proposed to evaluate the variations in the performance of different solar cell technologies related to the temperature in Amman, Jordan. Field data of weather station and three PV systems (Poly-crystalline, Mono-crystalline and Thin-film) of identical design parameters were collected from Test Field Project at Applied Science Private University, Shafa Badran, Amman, Jordan. These data were analysed in the following way. estimated specific energy yield (kWh/kWp) for the three different PV systems was calculated depending on the measured value of solar irradiance and technical specifications of the installed solar panels and inverters, then the actual energy yield at different temperatures over one year was compared with the estimated value, so the deviations could be determined and actual temperature coefficients for energy yield could be calculated, knowing that the three PV Systems have identical design parameters (tilt angle, azimuth angle, type and dimensions of mounting structure and inverter size) and same cleaning method and schedule. It was found that the thin-film solar panels are less affected by temperature with temperature coefficient of -0.0984%, and -0.109%, -0.124% for Mono-crystalline and Poly-crystalline respectively. These results can be implemented in the preliminary design steps, specifically in the selection of the solar cell technology to be installed in a specific location.
    Źródło:
    Journal of Ecological Engineering; 2019, 20, 5; 249-254
    2299-8993
    Pojawia się w:
    Journal of Ecological Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Research on new process for separation of silicon wafers and glass from decommissioned photovoltaic module
    Autorzy:
    Zhang, Jian wen
    Wang, Hai dong
    Zhang, Sheng guang
    Liang, Han
    Guo, Hui
    Tao, Si-yao
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2175425.pdf
    Data publikacji:
    2022
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    crystalline silicon photovoltaic modules
    decommissioned photovoltaic modules
    silicon
    solar cell
    tempered glass
    vibration separation
    Opis:
    In view of the disadvantages of the existing electrostatic separation process of decommissioned photovoltaic modules, which can only achieve the separation of fine silicon wafers and glass and has high energy consumption, a new process to solve the efficient dry separation of coarse silicon wafers and glass in decommissioned photovoltaic modules is proposed- the vibration separation method. Based on the theoretical analysis of the vibration separation of flaky silicon wafer and polyhedral glass particles, the effects of feed size, feed amount, vibration voltage, vibration frequency, horizontal inclination angle and longitudinal inclination angle on the product indexes of wafer and glass separation were investigated by single factor experiment. The optimal experimental conditions were obtained as follows: feed particle size +0.83mm, feed amount 0.15 t/h, vibration voltage 190 V, vibration frequency 48 Hz, horizontal inclination Angle 8°, longitudinal inclination Angle 3°. Under this optimized condition, the content of metal Si in the obtained silicon wafer product is 84.47%, the recovery rate of is 83.73%, the content of impurity SiO2 is 1.09%, and the content of SiO2 in the obtained glass product is 65.69%, and the recovery rate is 98.95%, the impurity metal Si content is 0.56%. This study provides a research idea for the industrial separation of silicon wafers and glass from decommissioned photovoltaic modules.
    Źródło:
    Physicochemical Problems of Mineral Processing; 2022, 58, 6; art. no. 151679
    1643-1049
    2084-4735
    Pojawia się w:
    Physicochemical Problems of Mineral Processing
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym
    Silicon epitaxial layers deposited on porous silicon for photovoltaic applications
    Autorzy:
    Lipiński, D.
    Sarnecki, J.
    Brzozowski, A.
    Mazur, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192080.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    warstwa epitaksjalna
    CVD
    krzem porowaty
    ogniwo słoneczne
    epitaxial layer
    porous silicon
    solar cell
    Opis:
    Ustalono warunki wytwarzania warstw o odpowiedniej porowatości zapewniającej osadzanie w procesie epitaksji z fazy gazowej warstw krzemowych o grubości powyżej 50 μm. W zależności od rezystywności płytek krzemowych typu p+ o orientacji <111> oraz <100> określono związek między gęstością prądu trawienia elektrochemicznego, a porowatością wytworzonych warstw porowatych. Otrzymano warstwy porowate z porowatością w zakresie 5 % - 70 %. Ustalono parametry procesu epitaksji i osadzono krzemowe warstwy epitaksjalne o wysokiej perfekcji strukturalnej i zakładanych parametrach elektrycznych.
    The conditions for producing layers with proper porosity that allows epitaxial growth of Si layers with the thickness of about 50 μm have been established. The relationship between the layer porosity, current density and substrate resistivity has been determined. The layers with porosity in the range between 5 % and 70 % have been obtained. The parameters of the CVD process have been established. Epitaxial silicon layers of high structural perfection and required electrical parameters have been obtained, which has been confirmed by the XRD and SR measurements as well as SEM observations.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 28-37
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies