Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "silicon solar cell" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Influence of material properties on parameters of silicon solar cells
    Wpływ właściwości materiałowych na parametry eksploatacyjne krzemowych ogniw słonecznych
    Autorzy:
    Swatowska, B.
    Stapiński, T.
    Całko, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192308.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    ogniwo słoneczne
    ARC
    silicon solar cell
    Opis:
    Multicrystalline and monocrystalline silicon solar cells are the most popular for commercial applications. Numerous material parameters could affect solar cell performance. The application of antireflective coatings of amorphous silicon based alloys can increase device efficiency. Such coatings due to tunable energy gap and refractive index and non-expensive fabrication method - Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition at 13.56 MHz are good candidates for large scale application. The authors presented the influence of material properties of bulk cell on solar cell efficiency by the use of computer PC-ID simulation program, which solves the fully coupled nonlinear equations for the quasi-one-dimensional transport of electrons and holes in crystalline devices, with emphasis on photovoltaic devices. The temperature, series and shunt resistance, recombination velocity and wafer thickness have the influence on current--voltage photo-characteristics of solar cells and their efficiency. Also the influence of thickness, reflective coefficient and refractive index of antireflective coatings on solar cells performance was examined. The optimal parameters of efficient solar cell were determined.
    Światowa produkcja ogniw słonecznych opiera się przede wszystkim na krzemie mono- i multikrystalicznym. Właściwości materiałowe istotnie wpływają na jakość, a przede wszystkim na ich parametry użytkowe. Wydatny wzrost sprawności ogniw można uzyskać poprzez zastosowanie warstw ARC. Tego typu powłoki, z możliwością optymalizacji współczynnika załamania oraz przerwy optycznej, można otrzymywać metodami Chemicznego Osadzania z Fazy Gazowej (RFCVD - Radio Frequency Chemical Vapour Depositiori). Autorzy zbadali wpływ właściwości materiałowych na sprawność ogniw korzystając z metody numerycznej - program PC-1D. Program umożliwia wyznaczenie końcowych parametrów ogniw z uwzględnieniem zarówno stałych materiałowych podłoża, jak i elementów modyfikujących to ogniwo. Na kształt charakterystyki prądowo-napięciowej I-V (model dwudiodowy) i sprawność ogniwa mają wpływ: temperatura, rezystancja szeregowa i zwierająca, szybkość rekombinacji oraz grubość podłoża. W przypadku warstw antyrefleksyjnych, decydujące są: grubość, współczynnik załamania oraz współczynnik odbicia. Program symulacyjny pozwolił określić optymalne parametry wydajnych ogniw słonecznych na bazie krzemu, z uwzględnieniem bardzo istotnego wpływu warstw ARC.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 114-123
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Influence of the Base Material Parameters on Quantum and Photoconversion Efficiency of the Si Solar Cells
    Autorzy:
    Panek, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/352268.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    silicon solar cell
    dopant level
    charge carrier lifetime
    Opis:
    The influence of a p-type Si with different resistivity, charge carrier lifetime and emitter dopant impurities concentration on the crystalline silicon solar cells parameters were analyzed and experimentally checked. The findings were determined by quasi-steady-state photoconductance, current-voltage and spectral response methods. The study was accompanied by solar device simulation using a numerical PC1D program. The highest photoconversion efficiency of 15.13 % was obtained for the moncrystalline (Cz-Si) solar cell with a base resistivity of 1.8 Ωcm and an effective charge carrier lifetime of 22.9 μs. The results clearly confirmed the importance concerning the dopant level in a Si base material in relation to open circuit voltage and short circuit current possible to obtain from the solar cell. Reduction of a base material resistivtiy leads to a lower value of an effective charge carrier lifetime and photoconversion efficiency both for Cz-Si and multicrystalline (mc-Si) solar cells. The experimental results and calculation showed, that in the case of a solar cell produced on the basis of crystalline silicon, the most important spectral range for an efficiency of a cell is covering a wavelength range of 587 ÷ 838 nm.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2016, 61, 4; 1889-1894
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Kontakty elektryczne krystalicznych krzemowych ogniw fotowoltaicznych
    Metal Contacts of Crystalline Silicon Solar Cells
    Autorzy:
    Drabczyk, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159665.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    ogniwa słoneczne
    kontakty elektryczne
    sitodruk
    silicon solar cell
    metallization
    screen printing
    Opis:
    W niniejszym artykule przedstawiono informacje na temat stosowanych obecnie technik wykonywania metalicznych kontaktów elektrycznych dla krzemowych ogniw fotowoltaicznych. Obecnie istnieje wiele koncepcji wytwarzania ogniw fotowoltaicznych, a tym samym wiele rodzajów kontaktów metalicznych, pozwalających na przepływ prądu z ogniwa do zewnętrznego obwodu elektrycznego, w którym ono pracuje. Najbardziej popularnym i wciąż najczęściej produkowanym rodzajem ogniwa jest ogniwo na bazie krzemu krystalicznego. Dlatego też w artykule położono nacisk na grubowarstwowe technologie wykonywania przednich elektrod metalicznych. Przedstawiono kontakty wykonane techniką sitodruku, będące przedmiotem badań prowadzonych w Laboratorium Fotowoltaicznym IMiM PAN.
    This paper presents selected techniques for the front side metallization of crystalline silicon solar cells. In industrial production the most commonly applied type of solar cells is crystalline silicon solar cell. Therefore, in the article main directions of research of thick-film metallization technology like: screen printing techniques, aerosol jetting and laser chemical metal deposition are presented. The presented printing experiments have been carried out on the semi automated pilot line at the Photovoltaic Laboratory of Institute of Metallurgy and Materials Science of Polish Academy of Sciences.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2014, 264; 41-49
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ rozkładu widma promieniowania słonecznego na parametry multikrystalicznego ogniwa krzemowego
    An effect of solar spectrum distribution on the performance of crystalline silicon pv modules
    Autorzy:
    Rodziewicz, T.
    Zaremba, A.
    Wacławek, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/125764.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Towarzystwo Chemii i Inżynierii Ekologicznej
    Tematy:
    promieniowanie słoneczne
    widmo promieniowania
    przerwa energetyczna
    ogniwo krzemowe
    solar radiation
    solar spectrum
    semiconductor band gap
    silicon solar cell
    Opis:
    W artykule opisano wyniki uzyskane z opracowanej aplikacji integrującej model rozkładu widma promieniowania słonecznego oraz model krzemowego monokrystalicznego ogniwa fotowoltaicznego. W ramach badań opracowano program - symulator widma promieniowania słonecznego wykorzystujący algorytmy i procedury numeryczne oparte na modelu SMARTS2. Ponadto, przygotowano aplikację pozwalającą na przeprowadzenie modelowania komputerowego zachowania się ogniw i analizę zmienności ich parametrów przy zastosowaniu różnych rozkładów spektralnych oświetlenia oraz różnych parametrów materiałowo-konstrukcyjnych ogniw PV. Z wykorzystaniem niniejszej aplikacji przeprowadzono szereg symulacji. Dokonano analizy zależności parametrów konstrukcyjnych ogniw od widma promieniowania słonecznego oraz porównania ich z wartościami zmierzonymi.
    In the paper an effect of solar spectrum on the performance of crystalline silicon solar cell efficiency is demonstrated. In a study, was developed the application - a simulator of the spectrum of solar radiation using algorithms and numerical procedures based on the SMARTS2 model. In addition, was prepared an application that enables the to carry out computer modelling of cells behaviour and analysis of the variability of their parameters using different spectral distributions of solar radiation and various material and structural parameters of PV cells. By using this application, a number of simulations were made. An analysis of design parameters of cells depending on spectrum of solar radiation and comparison those with the measured values were made.
    Źródło:
    Proceedings of ECOpole; 2014, 8, 2; 571-577
    1898-617X
    2084-4557
    Pojawia się w:
    Proceedings of ECOpole
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of external conditions on parameters of silicon solar cells
    Wpływ warunków zewnętrznych na parametry krzemowych ogniw słonecznych
    Autorzy:
    Swatowska, B.
    Stapiński, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192322.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    krzemowe ogniwo słoneczne
    charakterystyka I-V
    model dwudiodowy
    sprawność ogniwa słonecznego
    silicon solar cell
    I-V characteristic
    two diod model
    efficiency of solar cell
    Opis:
    Praca skupia się na badaniu wpływu zmian temperatury zewnętrznej oraz stopnia zacienienia powierzchni ogniw słonecznych na ich parametry elektryczne. Charakterystyki prądowo-napięciowe I-V ogniw słonecznych na bazie krzemu multikrystalicznego były wyznaczone przy oświetleniu AM 1.5 za pomocą urządzenia sterowanego komputerowo I-V Curve Tracer For Solar Cells Qualification. Poprzez zastosowanie elektrycznego modelu dwudiodowego, pomiary charakterystyk I-V ogniw pozwoliły określić sprawność ogniw oraz ich prąd zwarcia i napięcie obwodu otwartego. Pomiary temperaturowe przeprowadzono w zakresie od 5 do 55 °C, przy stałym i równomiernym oświetleniu całej powierzchni ogniw. Zmienny stopień zacienienia powierzchni ogniw miał bardzo istotny wpływ na ich parametry elektryczne. Obniżenie sprawności ogniw słonecznych wraz z temperaturą oraz stopniem zacienienia jest czynnikiem bardzo istotnym przy optymalizacji warunków pracy systemów fotowoltaicznych.
    The purpose of the work is the investigation of influence of rapid change of temperature and the shadowing of light on silicon solar cells operation. Current-voltage characteristics for multicrystalline silicon solar cells were measured by the use of computer controlled global spectrum sun simulator under an AM 1.5. The measurements of I-V characteristics allow the determination of basic electrical parameters and efficiency using the double exponential relationship from two-diode solar cells model. Temperature measurements were carried out in the temperature range from 5 to 55 °C under constant irradiance. Under changeable area of illumination of solar cells was also observed the variation of their parameters. The rate of decrease of solar cells efficiency with temperature and shadowing area are important to estimate optimal working conditions of PV systems.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 1, 1; 13-16
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Application of Artificial Neural Networks in Modeling of Manufactured Front Metallization Contact Resistance for Silicon Solar Cells
    Zastosowanie sztucznych sieci neuronowych w modelowaniu rezystancji kontaktu wytwarzanej przedniej metalizacji krzemowych ogniw słonecznych
    Autorzy:
    Musztyfaga-Staszuk, M.
    Honysz, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/356591.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    computational material science
    artificial neural networks
    silicon solar cell
    selective laser sintering
    screen printing
    co-firing in the furnace
    zastosowanie sztucznych sieci neuronowych
    krzemowe ogniwa słoneczne
    selektywne spiekanie laserowe
    sitodruk
    wypalanie w piecu
    Opis:
    This paper presents the application of artificial neural networks for prediction contact resistance of front metallization for silicon solar cells. The influence of the obtained front electrode features on electrical properties of solar cells was estimated. The front electrode of photovoltaic cells was deposited using screen printing (SP) method and next to manufactured by two methods: convectional (1. co-fired in an infrared belt furnace) and unconventional (2. Selective Laser Sintering). Resistance of front electrodes solar cells was investigated using Transmission Line Model (TLM). Artificial neural networks were obtained with the use of Statistica Neural Network by Statsoft. Created artificial neural networks makes possible the easy modelling of contact resistance of manufactured front metallization and allows the better selection of production parameters. The following technological recommendations for the screen printing connected with co-firing and selective laser sintering technology such as optimal paste composition, morphology of the silicon substrate, co-firing temperature and the power and scanning speed of the laser beam to manufacture the front electrode of silicon solar cells were experimentally selected in order to obtain uniformly melted structure well adhered to substrate, of a small front electrode substrate joint resistance value. The prediction possibility of contact resistance of manufactured front metallization is valuable for manufacturers and constructors. It allows preserving the customers’ quality requirements and bringing also measurable financial advantages.
    Artykuł przedstawia zastosowanie sztucznych sieci neuronowych do predykcji rezystancji przedniej metalizacji w krzemowych ogniwach słonecznych. Oceniono wpływ tak wytworzonej elektrody przedniej na własności elektryczne ogniw fotowoltaicznych. Przednią elektrodę ogniw fotowoltaicznych naniesiono metodą sitodruku SP (ang. Screen Printing) i następnie wytwarzano dwoma metodami: konwencjonalną (1. wypalanie w piecu taśmowym) i niekonwencjonalną (2. selektywne spiekanie laserowe). Do wyznaczenia rezystancji elektrod przednich zastosowano metodę linii transmisyjnych TLM (ang. Transmission Line Model). Sztuczne sieci neuronowe zostały opracowane z wykorzystaniem pakietu Statistica Neural Network firmy Statsoft. Opracowane sztuczne sieci neuronowe umożliwią modelowanie rezystancji wytworzonej przedniej metalizacji i ułatwią lepszy dobór parametrów produkcji. Następujące zalecenia technologiczne sitodruku połączonego z wypalaniem w piecu i selektywnym spiekaniem laserowym takie jak optymalny skład pasty, morfologię podłoża krzemowego, temperaturę wypalania oraz moc i prędkość skanowania wiązki laserowej, do wytworzenia przedniej elektrody krzemowych ogniw słonecznych dobrano eksperymentalnie celem uzyskania celem uzyskania jednolicie stopionej struktury dobrze przylegającej do podłoża, małej wartości rezystancji połączenia elektrody przedniej z podłożem. Możliwość estymacji rezystancji przedniej metalizacji jest wartościowa dla producentów i konstruktorów. Pozwala ona na dotrzymanie wymagań klienta i przynosi wymierne zyski.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 3A; 1673-1678
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies