Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Piekarski, L." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Fluctuations of kinetic energy at molecular dynamics and the atomic interactions in crystals
Autorzy:
Andriyevsky, B.
Piekarski, J.
Andriyevska, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/118444.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
interatomic interactions
molecular dynamics
silicon
phonon relaxation time
oddziaływania międzyatomowe
dynamika molekularna
krzem
czas relaksacji fononów
Opis:
The calculation method of the molecular dynamics has been applied to study the correlation of the kinetic energy fluctuations and the relaxation time of the velocity autocorrelation function and the phonon relaxation time in a crystal. On the basis of the molecular dynamics data for silicon crystal obtained at different temperatures in the range 200 K – 1000 K the correlation between the kinetic energy fluctuations and the relaxation time of the velocity autocorrelation function has been calculated with the relatively high coefficient of determination R2 = 0.9396. The correlation obtained and the corresponding approach substantiate a use of the kinetic energy fluctuations for the calculation of values related to the heat conductivity in the silicon based semiconductors (coefficients of thermal conductivity and diffusivity).
Obliczeniowa metoda dynamiki molekularnej została zastosowana do badania korelacji fluktuacji energii kinetycznej i czasu relaksacji autokorelacyjnej funkcji prędkości i czasu relaksacji fononów w krysztale. Na bazie danych dynamiki molekularnej kryształu krzemu otrzymanych w różnych temperaturach w zakresie 200 K – 1000 K została obliczona korelacja fluktuacji energii kinetycznej i czasu relaksacji autokorelacyjnej funkcji prędkości, która cechuje się stosunkowo wysokim współczynnikiem determinacji R2 = 0.9396. Otrzymana korelacja uzasadnia zastosowanie fluktuacji energii kinetycznej do badań obliczeniowych wielkości powiązanych z przewodnością cieplną półprzewodników na bazie krzemu (współczynniki przewodności i dyfuzyjności cieplnej).
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2018, 12; 19-24
1897-7421
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Estimation of phonon relaxation time for silicon by means of using the velocity autocorrelation function of atoms in molecular dynamics
Autorzy:
Andriyevsky, Bohdan
Maliński, M.
Buryło, Ł.
Stadnyk, V. Y.
Romanuk, M. O.
Piekarski, J.
Andriyevska, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201222.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
silicon
molecular dynamics
relaxation time of the velocity autocorrelation function
coefficient of thermal diffusivity
krzem
dynamika molekularna
Opis:
Results of the ab initio molecular dynamics calculations of silicon crystals are presented by means of analysis of the velocity autocorrelation function and determination of mean phonon relaxation time. The mean phonon relaxation time is crucial for prediction of the phonon-associated coefficient of thermal conductivity of materials. A clear correlation between the velocity autocorrelation function relaxation time and the coefficient of thermal diffusivity has been found. The analysis of the results obtained has indicated a decrease of the velocity autocorrelation function relaxation time t with increase of temperature. The method proposed may be used to estimate the coefficient of ther-mal diffusivity and thermal conductivity of the materials based on silicon and of other wide-bandgap semiconductors. The correlation between kinetic energy fluctuations and relaxation time of the velocity autocorrelation function has been calculated with the relatively high coefficient of determination R2 = 0.9396. The correlation obtained and the corresponding approach substantiate the use of kinetic energy fluctuations for the calculation of values related to heat conductivity in silicon-based semiconductors (coefficients of thermal conductivity and diffusivity).
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2019, 67, 3; 651-656
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies