Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "semiconductor power devices" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Analiza stanów zwarciowych w przekształtnikach dużej mocy
Analysis of short circuit conditions in high power devices
Autorzy:
Zymmer, K.
Maścibrodzki, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159857.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
przekształtniki dużej mocy
stany zwarciowe
przyrządy energoelektroniczne
High Power converters
short circuit conditions
semiconductor power devices
Opis:
W artykule przedstawiono metodę określania zagrożeń uszkodzeniem przyrządów energoelektronicznych oraz eksplozją tych elementów w warunkach zwarć zewnętrznych i wewnętrznych w przekształtnikach dużej mocy. Metoda oparta jest na analizie porównawczej prądów przeciążeniowych deklarowanych przez wytwórców przyrządów półprzewodnikowych jako dopuszczalne z odpowiednimi wartościami prądów występujących w tych przyrządach w warunkach zwarciowych w zespole przekształtnikowym. W związku z różnymi przebiegami prądu deklarowanego jako dopuszczalny w stosunku do przebiegów występujących w rzeczywistości, jako kryterium porównawcze przyjęto odpowiadające tym prądom wartości całek i2t. Jako kryterium zagrożenia eksplozją przyrządu energoelektronicznego przyjęto wartości całki i2t, powodującej eksplozję tego przyrządu, wyznaczoną w trakcie badań eksperymentalnych prowadzonych w zwarciowni prądu przemiennego. Analizy obliczeniowe prowadzono na przykładzie trakcyjnego zespołu prostownikowego o prądzie 1700 A i napięciu wyprostowanym 3,3 kV. Analizy prowadzone były metodą symulacyjną przy wykorzystaniu programu PSIM.
Method of protection against failure or explosion hazard of semiconductor power devices, which can occur in high power converters, is discussed. This method base on a comparing of the permissible over current declared by manufactures, with the short-circuit current that can appear in case of failure. Different case of failure was analyzed and new criterion for protection of the semiconductor power devices is proposed. Taking the declared current, and the calculated integral i2t as function of time, of the short circuit current, one is able to select circuit breaker operating time that should be applied in substation. This criterion assumed was verified with gut accuracy during experimental investigation in high current conditions. Tests were made at traction DC current unit of 3,3 kV and 1700 A.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 258; 99-121
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
System do automatycznego pomiaru parametrów termicznych półprzewodnikowych przyrządów mocy
An automatic measurement system of thermal parameters of semiconductor power devices
Autorzy:
Bisewski, D.
Zarębski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/152727.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
parametry termiczne
rezystancja termiczna
przejściowa impedancja termiczna
półprzewodnikowe przyrządy mocy
thermal parameters
thermal resistance
transient thermal impedance
semiconductor power devices
Opis:
W pracy omówiono budowę i zasadę działania autorskiego systemu do automatycznego pomiaru parametrów termicznych, w tym czasowych przebiegów przejściowej impedancji termicznej oraz rezystancji termicznej półprzewodnikowych przyrządów mocy. W rozważanym systemie zaimplementowano popularną impulsową metodę pomiaru parametrów termicznych opartą na wykorzystaniu krzywej chłodzenia elementu półprzewodnikowego. Działanie systemu pomiarowego zilustrowano wynikami pomiarów parametrów termicznych wybranych półprzewodnikowych przyrządów mocy.
Generally, manufacturers of semiconductor devices do not provide in datasheets detailed information about thermal parameters of semiconductor devices, i.e. time waveform of junction-to-ambient transient thermal impedance or dependence of junction-to-ambient thermal resistance versus dissipated power. Therefore, the designers of electronic circuits do not have reliable information about thermal properties of semiconductor devices in the designed circuit [1 - 3]. The paper discusses the construction and operation of automatic measurement system of thermal parameters, including transient thermal impedance and thermal resistance of semiconductor power devices. Block diagram of the measurement system is shown in Fig. 1. In the measurement system, the popular Rubin and Oettinger [6] pulse method for measuring thermal parameters based on the cooling curve of semiconductor device, has been implemented. For reading and archiving the results of measurements, A/D and D/A converter USB-1608GX-2AO fabricated by Measurement Computing [5], has been used. Usefulness of the measuring system is illustrated by results of measurements of thermal parameters of silicon MOSFET (IRFR420A - International Rectifier), silicon carbide MESFET (CRF24010 - Cree) and silicon carbide Schottky diode (IDT06S60C - International Rectifier). As seen in Fig. 3, the thermal resistance junction-to-ambient strongly depends on semiconductor device dissipated power. For example, the thermal resistance of MOSFET decreases about 20% with increase of the dissipated power from 0.1 W to 1 W, at constant ambient temperature. It has been shown, that realization of such measurements allows to obtain more precise information about the thermal parameters of semiconductor devices in comparison to the device catalogue data.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2014, R. 60, nr 12, 12; 1150-1153
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Power semiconductor devices temperature monitoring system
System monitorowania temperatury półprzewodnikowych przyrządów mocy
Autorzy:
Wojtkowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/266661.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
digital temperature sensor
temperature measurement
1-Wire bus
semiconductor power devices
cyfrowe czujniki temperatury
pomiary temperatury
magistrala 1-Wire
półprzewodnikowe przyrządy mocy
Opis:
The temperature measurement system, for parallel monitoring of temperatures of the power semiconductors devices in power converters is presented in the paper. The system was implemented in a power electronics converter for rapid recognition of the power losses level generated by individual power components. This information is important when evaluating system efficiency, current flow symmetry, and allowable output power in a given inverter configuration. The proposed system utilizes parallel multi-channel temperature measurements with digital temperature sensors operating on separate serial 1-Wire buses. FPGA device collects data from the temperature sensors and sends them through wireless interface to a PC terminal. The structure of the system as well as particular devices are described in the paper. Selected results of experimental investigations which show proper operation of the system are presented as well.
W artykule przedstawiono system równoległego pomiaru temperatury półprzewodnikowych przyrządów mocy w przekształtnikach energoelektronicznych. Prezentowany system jest użyteczny podczas badania laboratoryjnego nowych topologii przekształtników energoelektronicznych. System ten umożliwia szybkie wykrycie nadmiernego nagrzewania jednego z monitorowanych przyrządów półprzewodnikowych i jednocześnie może automatycznie włączyć sygnał dźwiękowy oraz przesłać informację do sterownika przekształtnika. Otrzymywana informacja związana z poziomem strat mocy wydzielanej w poszczególnych monitorowanych elementach jest cenna przy badaniu sprawności układu, symetrii rozpływu prądów oraz przy badaniu dopuszczalnej mocy wyjściowej przekształtnika w danej konfiguracji. Cyfrowe czujniki temperatury wyposażone w interfejs szeregowy 1-Wire komunikują się z procesorem nadzorującym w sposób sekwencyjny. Przy większej liczbie czujników czas skanowania wszystkich wartości jest nadmiernie wydłużony. W prezentowanym rozwiązaniu zastosowano oddzielne magistrale szeregowe dla każdego czujnika. W związku z tym czas pełnego odczytu nie zależy od liczby czujników. Aby to było możliwe, wykorzystano układ FPGA z zaimplementowanymi interfejsami 1-Wire. Prezentowany system ułatwia wykrywanie wielu nieprawidłowości występujących w badanym przekształtniku i w przebiegach sterujących, gdyż większość z nich wiąże się z nadmiernym nagrzewaniem zagrożonego przyrządu mocy.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2017, 54; 233-236
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies