Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Sarzała, R." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Thermal problems in arsenide VECSELs
Zagadnienia cieplne w arsenkowych laserach typu VECSEL
Autorzy:
Sokół, A.
Sarzała, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296424.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
VECSEL
laser półprzewodnikowy
gospodarka cieplna
GaInNAs
semiconductor disk laser
heat management
thermal management
Opis:
Different aspects of thermal management of GaAs-based vertical-external-cavity surface-emitting lasers (VECSELs) are described and analyzed by example of typical configurations of GaInNAs/GaAs multiple-quantum-well (MQW) VECSEL. Simulations of two-dimensional heat-flux spreading within investigated structures have been carried out with the aid of the self-consistent thermal finite-element method. Influence of pumping-beam and heat spreader properties on maximal temperature increase have been studied and different heat management techniques have been compared.
W pracy zostały opisane i przeanalizowane wybrane aspekty dotyczące własności cieplnych optycznie pompowanych laserów półprzewodnikowych o emisji powierzchniowej z zewnętrzną pionową wnęką rezonansową (VECSELs, ang. vertical-external-cavity surface-emitting lasers) na podłożu z GaAs. Obliczenia wykonano dla typowych konfiguracji montażowych lasera typu VECSEL z obszarem czynnym w postaci wielokrotnej studni kwantowej wykonanej w systemie materiałowym GaInNAs/GaAs. Do symulacji dwuwymiarowego rozpływu ciepła wykorzystano samouzgodniony model cieplny oparty na metodzie elementów skończonych (MES) , przy pomocy którego porównano własności cieplne poszczególnych struktur oraz określono wpływ parametrów wiązki pompującej (moc, średnica) i heat spreadera (przewodność cieplna, grubość) na maksymalny przyrost temperatury w ich wnętrzach.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2011, 32; 53-63
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Numerical model of a semiconductor disk laser
Autorzy:
Sokół, A. K.
Sarzała, R. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174528.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
semiconductor disk laser
SDL
vertical-external-cavity surface-emitting laser
VECSEL
computer simulation
numerical modelling
Opis:
In this paper we describe the numerical model of a semiconductor disk laser, developed and implemented in the Photonics Group, Institute of Physics, Lodz University of Technology, Poland. It consists of four strongly interrelated components for: carrier transport, heat flow, material gain and optical phenomena calculations. Combination of these components gives the steady-state self-consistent model which enables a simulation of various aspects of a semiconductor disk laser operation. A numerical analysis of carrier and power losses within the active region of 1.3-μm GaInNAs/GaAs semiconductor disk laser has been carried out using this model.
Źródło:
Optica Applicata; 2016, 46, 2; 199-211
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Pumping Beam Width on VECSEL Output Power
Autorzy:
Sokół, A. K.
Sarzała, R. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226018.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
VECSEL
SDL
semiconductor disk laser
simulation
numerical modeling
power scaling
Opis:
The paper is devoted to a numerical analysis of an influence of a pumping beam diameter on output power of optically pumped vertical-external-cavity surface-emitting lasers. Simulations have been carried out for a structure with a GaInNAs/GaAs active region operating at 1.32 μm. Various assembly configurations have been considered. Results obtained show that laser power scaling is strongly affected by thermal properties of the device.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 3; 239-245
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies