Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Höfling, S" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Peculiarities in optical response of hybrid-barrier GaSb/InAs/AlSb resonant tunneling diode structure
Autorzy:
Dyksik, M.
Motyka, M.
Rygała, M.
Pfenning, A.
Hartmann, F.
Weih, R.
Worschech, L.
Höfling, S.
Sęk, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1835778.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
resonant tunneling diode
quantum well
optical spectroscopy
photoluminescence
photoreflectance
Opis:
We present comprehensive investigation of the optical properties of hybrid-barrier GaSb-based resonant tunneling structures, containing a bulk-like GaInAsSb absorption layer and two asymmetric type II GaSb/InAs/AlSb quantum wells. Methods of optical spectroscopy by means of Fourier-transformed photoluminescence and photoreflectance are employed to probe optical transitions in this complex multilayer system. Based on the comparison between the absorption-like and emission-like spectra (also in function of temperature) confronted with band structure calculations four main transitions could be resolved and identified. For one of them, there has been observed unusually strong linear polarization dependence never reported in structures of that kind. It has been interpreted as related to a transition at the GaSb/GaInAsSb interface, for which various scenarios causing the polarization selectivity are discussed.
Źródło:
Optica Applicata; 2021, 51, 2; 171-180
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Oscillator strength of optical transitions in InGaAsN/GaAsN/GaAs quantum wells
Autorzy:
Mika, A
Sek, G
Ryczko, K
Kozub, M
Musial, A
Marynski, A
Misiewicz, J
Langer, F
Höfling, S
Appel, T
Kamp, M
Forchel, A
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/173586.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
dilute nitride
quantum well
oscillator strength
Opis:
Experimental and theoretical considerations and results on the effect of nitrogen incorporation on the oscillator strength of optical transitions in InGaNAs/GaAs quantum wells (QWs) are presented. Therefore, a set of dilute nitride quantum well structures was grown by molecular beam epitaxy. Optical investigation via spectroscopic methods have been performed at various temperatures for both the as-grown samples, and after rapid thermal annealing. The fundamental transition energy and its oscillator strength vs. the QW composition have been systematically investigated. Additionally, the effect of the bandgap discontinuities on the transitions intensity has also been considered. The experimental data have been confronted with the band structure calculations within the effective mass approximation employing a two level repulsion model for the nitrogen-containing structures. The obtained results are crucial for possible future applications employing the quantum well in cavity structures and bringing the practical exploitation of quantum electrodynamics phenomena to the telecommunication spectral range.
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 53-60
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies