Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "DC\DC converter" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Trójpoziomowe przekształtniki DC/DC
Three level DC/DC converter
Autorzy:
Greczko, E.
Bubacz, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/152886.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
przekształtnik DC/DC
DC/DC converter
Opis:
W artykule opisano budowę oraz sterowanie trójpoziomowym przekształtnikiem DC/DC o rozszerzonych właściwościach funkcyjnych. Przedstawiono jego model wirtualny w programie Matlab, za pomocą którego, zbadano właściwości stabilizacyjne przekształtnika.
Construction and management of three levels by converter DC/DC, its virtual model in space Matlab by means of which it is carried out research of stabilization properties of this converter is described.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 5, 5; 60-62
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A comparison study of the features of DC/DC systems with Si IGBT and SiC MOSFET transistors
Badania porównawcze sprawności układów DC/DC z tranzystorami Si IGBT oraz tranzystorami SiC typu MOSFET
Autorzy:
Fatyga, K.
Kwaśny, Ł.
Stefańczak, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408426.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
IGBT
SiC
transistor
MOSFET
DC/DC converter
tranzystor
przekształtnik DC/DC
Opis:
This paper presents a comparison of the efficiency of two bidirectional DC/DC converters based on dual H-bridge topology. Tested converters were built using Si-based IGBT transistors and SiC-based MOSFETs. The results of the research are efficiency characteristics, taken from tests at the frequency range of 10÷60 kHz. Analysis of the results points to a massive advantage of the SiC-based design over the Si-based one.
W artykule zaprezentowano badania porównawcze sprawności dwóch dwukierunkowych przekształtników DC/DC wykonanych w topologii podwójnego mostka H. Badane przekształtniki wykonano w technologii krzemowej z tranzystorami IGBT oraz w technologii węglika krzemu z tranzystorami SiC MOSFET. Rezultatem badań są charakterystyki sprawności uzyskane z testów przy częstotliwości pracy w zakresie 10÷60 kHz. Analiza uzyskanych wyników wskazuje na zdecydowaną przewagę rozwiązania wykonanego w technologii węglika krzemu nad rozwiązaniem z tranzystorami krzemowymi IGBT
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 2; 68-71
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza stanów dynamicznych przekształtnika DC/DC sterowanego metodą PWM
Analysis of dynamic states of a DC/DC converter with the PWM control scheme
Autorzy:
Bogdan, A.
Citko, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/158195.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
analiza stanów dynamicznych
przekształtnik
przekształtnik DC/DC
analysis of dynamic state
DC/DC converter
PWM control scheme
Opis:
W artykule przedstawiono liniowy model dynamiczny przekształtnika impulsowego sterowanego metodą PWM w odniesieniu do zmiennych uśrednionych. Na konkretnym przykładzie został zaprezentowany dobór regulatora w napięciowej pętli regulacyjnej. Dynamiczne właściwości układu zostały potwierdzone za pomocą jego symulacji w programie PSIPICE.
In the paper a linear dynamic model of an impulse DC/DC converter is presented and discussed. The converter is controlled with the use of the PWM (pulse width modulation) method, applied to the averaged variables. The simulation example presents the process of tuning the controller, which works in the voltage control loop. dynamic properties of the system have been extensively investigated in the series of numerical experiments, performed in the PSPICE simulation package.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2004, R. 50, nr 10, 10; 33-36
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Sterownik LED z zabezpieczeniem termicznym
LED driver with thermal protection
Autorzy:
Wojtkowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/268715.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
cyfrowy czujnik temperatury
przekształtnik DC/DC
sterownik LED
diody LED mocy
LED
LED driver
DC-DC converter
Digital temperature sensor
Opis:
W artykule prezentowany jest sterownik diody LED mocy, zbudowany na bazie przekształtnika podwyższająco – obniżającego DC-DC, wyposażony w kontrolę temperatury sterowanej diody LED. Prezentowany układ jest przystosowany do zasilania napięciem z zakresu typowego dla ogniw Li-ion i może być zastosowany w urządzeniach przenośnych. Dzięki zastosowaniu dodatkowego mikrokontrolera posiada niestandardowe funkcje, takie jak możliwość sterowania jasnością świecenia zewnętrznym sygnałem analogowym, zabezpieczenie termiczne sterowanej diody, programowanie cyklu pracy. W artykule przedstawiono procedurę doboru kluczowych elementów układu przekształtnika oraz zaprezentowano wybrane wyniki badań laboratoryjnych.
The DC-DC power converter for high brightness LED lighting applications supplied by a lithium-ion batteries and equipped with a digital temperature sensor is presented in the paper. The converter is built using specialized integrated chip MCP1652 and an additional microcontroller from the AVR family – ATtiny13, for additional functionality. Typical application of the MCP1651 was extended with a couple of elements. The converter was tested experimentally and some results are presented. The converter works well, especially at higher input voltages, when the efficiency is higher. Lower input voltages like 2.7 or even less are also possible, but the efficiency would be worse. For very low input voltages proposed configuration can be simply modified for bootstrap operation. The bootstrap applications will work with output voltage not higher than 6 V. Additional potentiometer R2 allows for easy regulation of the output current what can be used for dimming light intensity. The LED driver has an additional temperature measurement circuit based on the digital DS18B20 temperature sensor. Monitoring of LED temperature may be important in many applications. The microcontroller can turn-off the LED when the temperature crosses the preset threshold value.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2018, 59; 211-214
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Izolowany przekształtnik podwyższający DC/DC o wysokim współczynniku wzmocnienia napięcia
Isolated step-up DC/DC converter with high input voltage gain
Autorzy:
Krupa, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/277343.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Tematy:
przekształtnik DC/DC
współczynnik wzmocnienia napięcia
izolacja galwaniczna
transformator wyrównawczy
DC/DC converter
high voltage gain
galvanic isolation
balancing transformer
Opis:
Uzyskanie wymaganego poziomu napięcia wyjściowego przy niskich napięciach wejściowych sprawia, że tranzystory przekształtnika podwyższającego DC/DC przełączają prądy o znacznych wartościach, co wiąże się ze zwiększeniem strat energii. Aby uzyskać sprawność przekształtnika powyżej 90 % w szerokim zakresie przetwarzanej mocy wejściowej przy „twardym” przełączaniu łączników półprzewodnikowych należy podzielić znaczny prąd wejściowy na kilka mniejszych pętli prądowych. Zmniejszy to straty przewodzenia tranzystorów, które stanowią przeważającą część strat energii w tego typu układach. Zastosowanie transformatorów równoważących pozwoli zachować równomierny rozpływ prądu wejściowego, a transformatorów izolujących - separację galwaniczną oraz wzmocnienie napięcia zależne od ich przekładni.
Obtaining a desired level of output voltage at low input voltages makes the transistors of DC/DC boost converter switch currents of considerable value, which is associated with an increase in energy losses. In order to achieve converter efficiency greater than 90 % in a broad range of input power processed at the “hard” switching of semiconductor switches significant input current should be divided into several smaller current loops. This will reduce the conduction losses of transistors which are the vast majority of energy loss in this type of systems. The use of balancing transformers will keep the equal input current distribution and isolation transformers ensure galvanic isolation and voltage gain dependent on their turns ratio.
Źródło:
Pomiary Automatyka Robotyka; 2014, 18, 2; 106-111
1427-9126
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Robotyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies