Temat: plasma processing - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Plasma gasification of waste plastics
Autorzy:: Mączka, T
Śliwka, E.
Wnukowski, M
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/123383.pdf
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Polskie Towarzystwo Inżynierii Ekologicznej
Tematy:: plasma processing
plastic
fuel fractions
Opis:: The article presents the process of obtaining liquid fuels and fuel gas in the process of plasma processing of organic materials, including waste plastics. The concept of plasma pyrolysis of plastics was presented and on its basis a prototype installation was developed. The article describes a general rule of operating the installation and its elements in the process and basic operation parameters determined during its startup. Initial results of processing plastics and the directions of further investigations are also discussed. The effect of the research is to be the design of effective technology of obtaining fuels from gasification/pyrolysis of organic waste and biomass.
Źródło:: Journal of Ecological Engineering; 2013, 14, 1; 33-39
2299-8993
Pojawia się w:: Journal of Ecological Engineering
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Investigation of low temperature plasma capabilities to modify the structure and function of bio-polymers
Autorzy:: Motrescu, I.
Hara, T.
Ogino, A.
Tanaka, S.
Fujiwara, T.
Kawagishi, H.
Kodani, S.
Popa, G.
Nagatsu, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/385288.pdf
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Tematy:: biopolymers
biomolecules
low temperature plasma
modification
plasma processing
Opis:: The possibility to modify biopolymers using low temperature plasma is investigated. Two types of plasma are employed in this study: an atmospheric pressure plasma and a low pressure microwave plasma. In both cases changes of the structure and function of the exposed molecules are reported, the effects being stronger for the low-pressure plasma irradiation.
Źródło:: Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems; 2009, 3, 4; 150-152
1897-8649
2080-2145
Pojawia się w:: Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation
Autorzy:: Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Kudła, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308830.pdf
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: MOS technology
plasma processing
shallow implantation
radiation damage
Opis:: The radiation damage caused by low energy r.f. plasmas has not been, to our knowledge, studied so far in the case of symmetric planar plasma reactors that are usually used for PECVD processes. The reason is that, unlike nonsymmetrical RIE reactors, such geometry prevents, basically, high-energy ion bombardment of the substrate. In this work, we present the results of experiments in which we have studied the influence of plasma processing on the state of silicon surface. Very low temperature plasma oxidation has been used as a test of silicon surface condition. The obtained layers were then carefully measured by spectroscopic ellipsometry, allowing not only the thickness to be determined accurately, but also the layer composition to be evaluated. Different plasma types, namely N2, NH3 and Ar, were used in the first stage of the experiment, allowing oxidation behaviour caused by the exposure to those plasma types to be compared in terms of relative differences. It has been clearly proved that even though the PECVD system is believed to be relatively safe in terms of radiation damage, in the case of very thin layer processing (e.g., ultra-thin oxynitride layers) the effects of radiation damage may considerably affect the kinetics of the process and the properties of the formed layers.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 70-75
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Ultrathin oxynitride films for CMOS technology
Autorzy:: Beck, R.B.
Jakubowski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308025.pdf
Data publikacji:: 2004
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: MOS technology
gate stack
ultrathin oxynitride layers
high temperature processing
plasma processing
Opis:: In this work, a review of possible methods of oxynitride film formation will be given. These are different combinations of methods applying high-temperature oxidation and nitridation, as well as ion implantation and deposition techniques. The layers obtained using these methods differ, among other aspects in: nitrogen content, its profile across the ultrathin layer,... etc., which have considerable impact on device properties, such as leakage current, channel mobility, device stability and its reliability. Unlike high-temperature processes, which (understood as a single process step) usually do not allow the control of the nitrogen content at the silicon-oxynitride layer interface, different types of deposition techniques allow certain freedom in this respect. However, deposition techniques have been believed for many years not to be suitable for such a responsible task as the formation of gate dielectrics in MOS devices. Nowadays, this belief seems unjustified. On the contrary, these methods often allow the formation of the layers not only with a uniquely high content of nitrogen but also a very unusual nitrogen profile, both at exceptionally low temperatures. This advantage is invaluable in the times of tight restrictions imposed on the thermal budget (especially for high performance devices). Certain specific features of these methods also allow unique solutions in certain technologies (leading to simplifications of the manufacturing process and/or higher performance and reliability), such as dual gate technology for system-on-chip (SOC) manufacturing.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2004, 1; 62-69
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Plasma assisted attachment of functionalized carbon nanotubes on poly(ethylene terephthalate) fabric to improve the electrical conductivity
Poprawa przewodności elektrycznej tkaniny z poli(tereftalanu etylenu) przez wspomagane obróbką plazmową nanoszenie funkcjonalizowanych nanorurek węglowych
Autorzy:: Haji, A.
Rahbar, R. S.
Shoushtari, A. M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/945844.pdf
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Chemii Przemysłowej
Tematy:: coating
conductive textiles
carbon nanotubes
functionalization
plasma processing
powlekanie
tkaniny przewodzące
nanorurki węglowe
funkcjonalizacja
obróbka plazmowa
Opis:: In this article, we report a durable coating of polyester fabric with carbon nanotubes. Four fabric samples were prepared using different treatments to obtain the fabric with the lowest electrical resistance. Plasma treatment was performed to prepare the fabric surface for depositing amino functionalized carbon nanotubes (NH₂-MWCNT). Thermal properties, surface morphology and chemistry of the samples were investigated. Also color strength and electrical resistance of the fabric samples were determined. The results showed that the attachment of NH₂-MWCNT onto polyester fabric was affected by fabric surface morphology. The XPS results confirmed the presence of more oxygen-containing species on the PET fabric surface after plasma treatment and NH₂-MWCNT coating. The melting temperature and degree of crystallinity of the coated-PET fabric were higher than those of the pristine PET fabric. An improvement in the tensile strength of the PET fabric was also obtained after the plasma treatment and CNT coating. Electrical resistance of NH₂-MWCNT coated polyester fabric reduced substantially for pretreated fabric with plasma which was subsequently coated with NH₂-MWCNT in the presence of acrylic acid.
W ramach pracy badano różne metody nanoszenia na powierzchnię tkaniny z poli(tereftalanu etylenu) (PET) trwałej powłoki z nanorurek węglowych w celu uzyskania materiałów o najmniejszej oporności elektrycznej. Przygotowano cztery próbki tkaniny PET, z których trzy poddano obróbce plazmowej. Następnie wszystkie próbki moczono w dyspersji funkcjonalizowanych aminą nanorurek węglowych (NH₂-MWCNT) działając ultradźwiękami w ciągu 5 min. W przypadku dwóch tkanin, które moczono w dyspersji różniącej się stężeniem NH₂-MWCNT po 5 min dodawano kwas akrylowy i utrzymywano działanie ultradźwięków przez kolejne 5 min. Wszystkie cztery próbki tkanin oraz próbkę referencyjną, z wyjściowej tkaniny PET poddano badaniom właściwości termicznych, morfologii powierzchni i składu chemicznego. Określono również intensywność ich barwy i oporność elektryczną. Stwierdzono, że ilość NH₂-MWCNT naniesionego na tkaninę PET zależy od morfologii jej powierzchni. Wyniki rentgenowskiej spektroskopii fotoelektronowej (XPS) wykazały, że na powierzchni tkaniny PET powlekanej NH₂-MWCNT po wstępnej obróbce plazmowej znalazła się większa ilość cząsteczek zawierających tlen, niż na tkaninie bez takiej obróbki. Temperatura topnienia (T_m) i stopień krystaliczności (X_c) w przypadku powlekanych tkanin PET były wyższe niż w wyjściowej tkaninie PET. Obróbka plazmowa zwiększyła także wytrzymałość na rozciąganie powlekanych tkanin. Stwierdzono, że oporność elektryczna była najniższa w przypadku tkanin powlekanych NH₂-MWCNT po wstępnej obróbce plazmowej i w obecności kwasu akrylowego.
Źródło:: Polimery; 2015, 60, 5; 337-342
0032-2725
Pojawia się w:: Polimery
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "plasma processing" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język