Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "LaCoO3" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Structural Characterization of LaCoO3 Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition
Autorzy:
Jędrusik, M.
Cieniek, Ł.
Kopia, A.
Turquat, C.
Leroux, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/354709.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
PLD
thin films
perovskites
LaCoO3
Opis:
Thin films of crystallized LaCoO3 were grown on Si substrate by Pulsed Laser Deposition at different temperatures (750°C, 850°C and 1000°C). The structural characterization of the LaCoO3 thin films was done by combining several techniques: Scanning Electron Microscopy (SEM), Atomic Force Microscope (AFM), Transmission Electron Microscopy (TEM) and Grazing Incidence X-Ray Diffraction (GIXRD). The thin films crystallized in the expected rhombohedral phase whatever the deposition temperature, with an increase of crystallite size from 70 nm at 750°C to 100 nm at 1000°C, and an average thickness of the thin films of less than 200 nm. At 850°C and 1000°C, the thin films are crack-free, and with a lower number of droplets than the film deposited at 750°C. The grains of LaCoO3 film deposited at 850°C are columnar, with a triangular termination. At 1000°C, an intermediate layer of La2 Si2 O7 was observed, indicating diffusion of Si into the deposited film.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2020, 65, 2; 793-797
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies