- Tytuł:
-
Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge
Optimization of the technology of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on InGaP/InGaAs/Ge compounds - Autorzy:
-
Dumiszewska, E.
Knyps, P.
Teodorczyk, M.
Wesołowski, M.
Strupiński, W. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/192120.pdf
- Data publikacji:
- 2011
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
- Tematy:
-
ogniwo słoneczne
MOCVD
złącze InGaP/ Ge
solar cells
InGaP/Ge junction - Opis:
-
W pracy przedstawiono proces wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych opartych o związki AIII-BV z wykorzystaniem technik osadzania MOCVD. Zaprezentowano także wstępne wyniki pomiarów elektrooptycznych pojedynczego złącza struktury Ge/InGaP:Si wykonanego w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych. Złącze to powstało w wyniku dyfuzji atomów fosforu z warstwy InGaP. Wszystkie prace technologiczne zostały przeprowadzone w ITME.
This work has been devoted to presenting the process of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on AIII-BV compounds using MOCVD deposition techniques. Moreover, preliminary results of electro-optical measurements performed on a single junction of a Ge/InGaP:Si structure produced in the Institute of Electronic Materials Technology have been introduced. This junction has been created as a result of the diffusion of phosphorus atoms from an InGaP layer. All technological processes have been carried out in ITME. - Źródło:
-
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 3, 3; 10-14
0209-0058 - Pojawia się w:
- Materiały Elektroniczne
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł