Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "multi-conditions" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Modelowanie numeryczne pola naprężenia w górotworze naruszonym wielopokładową eksploatacją węgla kamiennego w warunkach silnego zagrożenia sejsmicznego
Numerical modeling of stress field influenced by multi-seam hard coal mining in strong seismic threat conditions
Autorzy:
Pilecki, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/394279.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Gospodarki Surowcami Mineralnymi i Energią PAN
Tematy:
modelowanie numeryczne
wielopokładowa eksploatacja pokładów węgla
pole naprężenia
zagrożenie sejsmiczne
numerical modeling
multi-seam hard coal mining
stress field
seismic threat
Opis:
Przedstawiono numeryczną dwuwymiarową symulację pola naprężenia wytworzonego w wyniku wielopokładowej eksploatacji węgla kamiennego, prowadzonej w trudnych warunkach zagrożenia sejsmicznego, w jednej z kopalń Górnośląskiego Zagłębia Węglowego. Obliczono wpływ projektowanej eksploatacji w dwóch wariantach na zmianę pola naprężenia w górotworze. Dokonaną eksploatację symulowano w kolejności chronologicznej, w okresach kwartalnych. Obliczenia przeprowadzono dla dwóch wybranych przekrojów geologicznych, w przybliżeniu prostopadłych do siebie. Przemieszczenia pionowe w modelu kontrolowano na podstawie wyników pomiarów geodezyjnych obniżenia powierzchni terenu. Obliczenia wykonano w ośrodku sprężysto-plastycznym z kryterium wytrzymałościowym Coulomba-Mohra za pomocą programu FLAC ver. 5.0. Generalnie, analiza numeryczna pokazała, że projektowana eksploatacja w zależności od wariantów w zróżnicowany sposób zmieniła pole naprężeń w analizowanej partii górotworu. Podkreślono, że duży wpływ na kształtowanie się zagrożenia sejsmicznego miały koncentracje naprężeń, zwłaszcza w strefie uskokowej, grubych warstwach skalnych i w rejonie krawędzi eksploatacyjnych.
Numerical simulation of stress field influenced by multi-seam hard coal mining, in difficult geological and mining conditions, in one of the coal mine of Upper Silesian Basin has been presented. The changes of stress field in rock mass, as a result of up to date mining and planned mining in different variants, have been calculated. Simulation has been carried out for two geological cross-sections, perpendicular each other approximately, in direction of N-S and W-E. In the model, vertical displacements have been controlled by results of geodetic measurements of terrain surface subsidence. Calculation has been done in elastic-plastic medium with Mohr-Coulomb criterion with the help FLAC v. 5.0 system. These numerical analysis enables to estimate the influence of planned mining on stress field, and as well seismic threat. Generally, obtained results showed, that planned mining in analyzed variants may cause different stress changes, especially in fault zone, thick geological layers, and close to neighboring seam edges, and finally different seismic threat forming.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Instytutu Gospodarki Surowcami Mineralnymi i Energią PAN; 2011, 80; 93-102
2080-0819
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Instytutu Gospodarki Surowcami Mineralnymi i Energią PAN
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Excess current carrier distribution in the base region of the semiconductor multi-junction structure
Autorzy:
Sikorski, S.
Pultorak, J.
Jung, W.
Piotrowski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378449.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Tematy:
półprzewodniki
modelowanie numeryczne
warunki brzegowe
rozpływ prądów
gęstość prądu
semiconductors
numerical modelling
boundary conditions
current distribution
current density
Opis:
A new approach to the theory of excess current carrier distribution in the homogeneous base region of the semiconductor multi-junction structure is proposed. Numerical analysis of this structure is performed taking into consideration an assumption that concentrations of excess electrons and holes in the semiconductor are equal (the neutrality principle). To obtain excess carrier distributions in this structure it is necessary to solve continuity equations of electron J n and hole J p current densities. A general solution is obtained and numerically calculated distributions of excess carriers and electrical potential for cases interesting from the point of view of their application in injection modulated thermal radiation structures destined for dynamic scene projectors are presented.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2007, 39, 6; 1-8
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies