Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "field modeling" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Modelling of a temporary temperature field during arc weld surfacing of steel elements taking into account heat of the weld
    Autorzy:
    Winczek, J.
    Rygał, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/122403.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Częstochowska. Wydawnictwo Politechniki Częstochowskiej
    Tematy:
    modeling
    arc weld surfacing
    temperature field
    modelowanie
    pole temperatury
    Opis:
    In this work, a model of a temperature field in a steel element during a singlepass arc weld surfacing is presented. Analytical solution for half-infinite body model is obtained by aggregating temperature increments caused by applying liquid metal and heat radiation of a moving electrode. The assumptions are Gaussian distributed heat sources of applied metal and the weld and of an electric arc heat source. Computations of the temperature field were carried out during arc weld surfacing of cuboidal steel element. The results are presented as temporary and maximum temperature distribution in the element’s crosssection and thermal cycles at selected points. The accuracy of the solution is verified comparing a calculated fusion line to that obtained experimentally.
    Źródło:
    Journal of Applied Mathematics and Computational Mechanics; 2015, 14, 1; 111-120
    2299-9965
    Pojawia się w:
    Journal of Applied Mathematics and Computational Mechanics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Field intensification near triple point in electrical insulation systems with solid dielectrics
    Silne pole elektryczne w otoczeniu punktu potrójnego w układach elektrod z dielektrykiem stałym
    Autorzy:
    Adamczyk, B.
    Florkowska, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/268756.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    pole elektryczne
    punkt potrójny
    modelowanie
    electric field
    triple point
    modeling
    Opis:
    Electric field intensification near a triple point of contact between a solid dielectric, an electrode and surrounding air, or other insulating medium is an important technical problem in HV insulation systems. Electric field intensification depends on many factors and for this reason it is important to investigate their influence on operating conditions of solid materials. The problem refers to exploitation cases of real insulation systems as well as to laboratory tests performed in experimental setups, e.g. measurements of electric strength of solid materials, measurements of surface discharges, etc. In this article the influence of electrode configuration used for the tests of electric strength of solid dielectrics on maximum value of electric field is investigated and analyzed. Simulations of electric field distribution relate to typical electrode arrangements recommended by IEC 60243-1 standard. Two types of solid materials were considered in the article: crosslinked polyethylene XLPE and ethylenepropylene rubber EPR.
    Silne pole elektryczne w otoczeniu punktu potrójnego stanowi szczególny problem w konstrukcjach wysokonapięciowych układów izolacyjnych. Stopień zwiększenia natężenia pola elektrycznego w punkcie potrójnym zależy od konfiguracji elektrod w układzie izolacyjnym, grubości dielektryka stałego, rodzaju ośrodka zewnętrznego i innych. Problem ten odniesiony do badań laboratoryjnych parametrów dielektrycznych materiałów izolacyjnych stałych, w tym pomiarów wytrzymałości elektrycznej, jest analizowany w artykule. Przedstawiono wyniki symulacji rozkładu natężenia pola elektrycznego w otoczeniu punktu potrójnego w wybranych konfiguracjach elektrod z zastosowaniem izolacji polietylenowej XLPE i etylenowo propylenowej EPR oraz obliczenia wartości maksymalnych natężenia pola elektrycznego.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2012, 31; 13-16
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modeling of the electric field grading at conductor-dielectric interfaces under fast rise time pulses
    Modelowanie rozkładu pola elektrycznego na powierzchniach granicznych metal-dielektryk przy wymuszeniach impulsowych
    Autorzy:
    Adamczyk, B.
    Florkowka, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/268110.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    electric field grading
    modeling
    electric machines
    układ izolacyjny
    rozkład pola elektrycznego
    modelowanie
    maszyny elektryczne
    Opis:
    The insulation systems are subjected to different exploitation stresses. There are electrical stresses due to the time dependence and spatial distribution of the electric field. A differentiation has to be made between sinusoidal (power network) and pulsed stresses. In spite of the overvoltages (lightning and switching) they are also a result of power converters. The power converters technology leads to different and higher electrical stresses in machine windings insulation and cable terminations. Then the interfaces in insulation systems generally consist of combination of conducting, semiconducting and insulation materials adjacent to each other. A criterion for the electrical stresses in insulation systems are partial discharges which occur at these interfaces. The effectiveness of stress-grading systems under fast rise time pulses is discussed in the article. Simulations using Finite Element Method are presented.
    Narażenia eksploatacyjne urządzeń elektrycznych są przyczyną degradacji ich układów izolacyjnych, przy czym intensywność i dynamika tych procesów zależą od poziomu natężenia pola elektrycznego, jego przebiegu czasowego i częstotliwości. W grupie narażeń szybkozmiennych szczególne znaczenie mają przepięcia impulsowe, oddziaływujące na układy izolacyjne maszyn elektrycznych, gdy stosowane jest sterowanie z modulacją szerokości impulsów zasilania. Narażenia napięciowe w układach przekształtnikowych stanowią ciągi szybkich impulsów przełączających, formułujących powtarzalne sekwencje, charakteryzujące się modulowaną szerokością i krótkimi czasami narastania i opadania zboczy. Takie warunki mają zasadnicze znaczenie dla powstawania i rozwoju wyładowań niezupełnych w układach izolacyjnych maszyn elektrycznych i kabli elektroenergetycznych. Problem ten dotyczy między innymi elementów układów izolacyjnych tworzących tzw. punkt potrójny (ang. tripple point), a więc wyprowadzeń uzwojeń ze stojana maszyn elektrycznych oraz głowic kablowych, w których natężenie pola elektrycznego może osiągać wartości przekraczające natężenie początkowe wyładowań niezupełnych. Stosowane jest wówczas sterowanie pola elektrycznego przez zastosowanie kombinacji materiałów przewodzących, półprzewodzących i izolacyjnych. Kryterium projektowania tego typu układów izolacyjnych jest między innymi wartość natężenia pola elektrycznego.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2013, 36; 13-16
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Pole temperatury wybranych detali budowlanych przy wykorzystaniu wielospójnych obszarów MEB
    Modeling and simulation of Boundary Element Method to temperature field in cold bridge
    Autorzy:
    Rynkowski, P.
    Teleszewski, T. J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/404021.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Symulacji Komputerowej
    Tematy:
    modelowanie
    symulacja
    pole temperatury
    mostek cieplny
    metoda elementów brzegowych
    MEB
    modeling
    simulation
    temperature field
    cold bridge
    boundary element method
    BEM
    Opis:
    In the paper the model of temperature field in cold bridge is discussed using Boundary Element Method. The equations describing the steady heat conduction problem in cold bridge have been solved. Presented examples show efficiency of Boundary Element Method modeling in cold bridge in comparison with mesh method as Finite Difference Method, Finite Element Method or Finite Volume Method.
    Źródło:
    Symulacja w Badaniach i Rozwoju; 2011, 2, 4; 235-247
    2081-6154
    Pojawia się w:
    Symulacja w Badaniach i Rozwoju
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analysis and investigation of Schottky barrier MOSFET current injection with process and device simulation
    Autorzy:
    Schwarz, Mike
    Calvet, Laurie E.
    Snyder, John P.
    Krauss, Tillmann
    Schwalke, Udo
    Kloes, Alexander
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397926.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    Poisson equation
    device simulation
    field emission
    modeling
    MOSFET
    process simulation
    Schottky barrier
    Synopsys
    TCAD
    thermionic emission
    tunneling current
    równanie Poissona
    emisja polowa
    modelowanie
    symulacja procesu
    bariera Schottky'ego
    emisja termoelektronowa
    prąd tunelowy
    Opis:
    In this paper we focus on the implementation of a process flow of SB-MOSFETs into the process simulator of the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. An improved structure containing topography is briefly discussed and further device simulations are applied with the latest physical models available. Key parameters are discussed and finally the results are compared with fabricated SB-MOSFETs in terms of accuracy and capability of process simulations.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2018, 9, 1; 1-8
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies