Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "niskie temperatury" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Optoelektroniczny przetwornik E/U operujący w 77K
An optoelectronic light to voltage converter operating at 77K
Autorzy:
Pająkowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/152870.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
czujnik optyczny
fotodioda
niskie temperatury
optoelectronic sensor
photodiode
low temperature
Opis:
W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania fotodiody BPW34S w temperaturze z zakresu od 77 K do 300 K Przedstawiono zmiany wybranych parametrów wzmacniaczy operacyjnych BiFET w niskiej temperaturze. Zaproponowano rozwiązanie kriogenicznego przetwornika E/U (natężenie oświetlenia/napięcie) pracującego w temperaturze z zakresu od 77 K do 300 K, z użyciem fotodiody BPW34S i wzmacniacza TL081 wykonanego w technologii BiFET. Porównano wyniki badań temperaturowych kriogenicznego przetwornika E/U z wynikami badań nad pracą scalonego czujnika optoelektronicznego OPT101 w temperaturach z zakresu od 77 K do 300 K. Pokazano pracę skonstruowanego przetwornika E/U mogącego operować w 77 K.
The paper presents the results of performance tests of a BPW34S photodiode in the temperature range from 77 K to 300 K (Fig. 2). Also the results of tests of a BiFET operational amplifier are presented: the open loop gain and gain bandwidth of TL081 in the temperature range from 77 K to 300 K (Fig. 4). There is introduced a cryogenic light to voltage converter operating within the above mentioned temperature range. (Fig. 5). In the cryogenic light to voltage converter there are used the BPW34S photodiode and TL081 BiFET operational amplifier. The stand for testing characteristics of electric parameters of electronic elements in low temperatures is shown in the block diagram (Fig. 7) and the photo (Fig. 9). It was proved that the cryogenic light to voltage converter could operate in temperature range 77 K to 300 K with a relative error less than 6% (Tab. 1) (Fig. 8). Finally, the results of low temperature tests of the designed converter with the results of tests of the optoelectronic sensor OPT101 are compared (Fig. 10, 11). There is also presented the spectral sensitivity of the tested light sensors (Fig. 12). The presented solutions can be used in devices working in temperature of 77 K in e.g. high-temperature superconductivity equipment.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2014, R. 60, nr 8, 8; 583-586
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ocena efektu samopodgrzewania układu PLD w niskich temperaturach
Evaluation of self-heating of PLD structure in low temperatures
Autorzy:
Arnold, K.
Pająkowski, J.
Michalak, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/156501.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
czas propagacji
niskie temperatury
samopodgrzewanie
PLD
propagation delay
low temperature
self-heating
Opis:
W pracy opisano zachowanie programowalnego układu PLD po poddaniu go działaniu niskich temperatur, obniżanych do temperatury ciekłego azotu. Przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych, zmierzających do określenia wpływu temperatury i poboru mocy przez wykonaną w technologii CMOS strukturę EE PLD na czasy propagacji zintegrowanych bramek logicznych. Zaprezentowano charakterystyki średniego czasu propagacji pojedynczej bramki w zakresie niskich temperatur i porównano uzyskane wyniki z prognozami, formułowanymi w oparciu o zjawisko samopodgrzewania struktury półprzewodnikowej.
In this paper behavior of a programmable logic device (PLD) in the low temperature range, including temperature of liquid nitrogen, is presented. There are given the results of experiments in which we tried to determine the influence of temperature and power consumption on the propagation delay of integrated logic gates implemented in an EE PLD CMOS structure. The thermal conditions of work resulting from the ambient temperature, clock signal frequency, value of voltage supply and current consumption connected with output loads and switching frequency are discussed. The PLD device properties in the nominal range of ambient temperatures and expected behavior after reducing the temperature are described. The main idea of the circuit for average propagation delay measuring (Fig. 1) and the voltage-current dependence for recommended test output loads (Figs. 2 and 3) are discussed. The test circuit with pull-up resistors for increasing self-heating effect is proposed (Fig. 4). The results for the propagation delay (Fig. 5) and current consumption (Fig. 6) at 1 kHz and 1 MHz switching fre-quency as a function of the temperature changing from -196°C to 20°C are shown. The propagation delay vs. temperature (Figs. 7 and 8) and the current consumption vs. temperature (Fig. 9) for the circuit with external pull-up resistors are presented. The influence of voltage supply value changes on the obtained results is taken into consideration. The results are discussed and compared with expectations.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2012, R. 58, nr 7, 7; 641-643
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies