- Tytuł:
-
Preparation of a BiTeI polar semiconductor with a strong asymmetric inversion
Otrzymywanie polarnego półprzewodnika BiTeI, wykazującego silną asymetrię inwersji - Autorzy:
- Materna, A.
- Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/192104.pdf
- Data publikacji:
- 2017
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
- Tematy:
-
topological insulator
BiTeX (X = I, Br, Cl) compounds
VB method
CVT method
izolator topologiczny
związki BiTeX (X = i, Br, cl)
krystalizacja metodą VB
krystalizacja metodą CVT - Opis:
-
The paper describes the synthesis and crystallization processes of a BiTeI polar semiconductor, carried out by a modified vertical Bridgman method (VB), or/and by CVT (chemical vapor transport) method, in a horizontal position. For BiTeI samples, the measurements were performed by Van der Pauw method and by the structural techniques (EDS, XRD and Raman spectroscopy), which confirmed the presence of a pure BiTeI phase in the obtained materials.
W pracy opisano procesy syntezy i krystalizacji polarnego półprzewodnika BiTei metodą transportu chemicznego (cVT) w układzie poziomym oraz zmodyfikowaną, pionową metodą Bridgmana (VB). Dla przygotowanej serii próbek, wykonano pomiary własności transportowych (metodą Van der Pauwa), które wykazały dużą ruchliwość nośników, w temperaturze 77K. Badania strukturalne wykonane za pomocą technik mikroanalizy rentgenowskiej EDs (energy dispersive spectroscopy), rentgenowskiej analizy dyfrakcyjnej XRD (X-ray diffraction analysis) oraz spektroskopii Ramana, potwierdziły obecność czystej fazy BiTei w otrzymanych materiałach. - Źródło:
-
Materiały Elektroniczne; 2017, T. 45, nr 2-4, 2-4; 12-23
0209-0058 - Pojawia się w:
- Materiały Elektroniczne
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł