Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "InAs" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Detektory podczerwieni z supersieci II rodzaju układu InAs/GaInSb
    Type-II InAs/GaInSb superlattices for infrared photodetectors
    Autorzy:
    Gawron, W.
    Rogalski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/209342.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
    Tematy:
    detektory podczerwieni
    kwantowe efekty rozmiarowe
    supersieci II rodzaju z InAs/GaInSb
    infrared detectors
    low dimensional solids
    type II InAs/GaInSb superlattices
    Opis:
    Artykuł przedstawia stan rozwoju nowej generacji detektorów podczerwieni fotodiod z supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb. O ich fundamentalnych właściwościach decydują kwantowe efekty rozmiarowe. Ta nowa tematyka badawcza została podjęta w VIGO System S.A. w ramach realizacji zadania nr 3 programu zamawianego PBZ-MNiSW 02/I/2007. Celem tego zadania jest opracowanie i zbadanie właściwości fotodiod detektorów podczerwieni na bazie supersieci. Podstawę do konstrukcji fotodiod będą stanowić struktury z supersieci II rodzaju z InAs/InGaSb, wykonane w ramach zadania nr 2 PBZ-MNiSW 02/I/2007 realizowanego równolegle w Instytucie Technologii Elektronowej.
    This article presents state of the art of new generation of infrared detectors based on low dimensional solids type II InAs/GaSb superlattices for photovoltaic detectors. This new scientific program has been undertaken in VIGO System S.A. owing to realization of grant 3 PBZ-MNiSW 02/I/2007 supported by the Polish Ministry of Science and Higher Education.
    Źródło:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2009, 58, 4; 7-16
    1234-5865
    Pojawia się w:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High performance type-II InAs/GaSb superlattice infrared photodetectors with a short cut-off wavelength
    Autorzy:
    Delmas, Marie
    Ramos, David
    Ivanov, Ruslan
    Žurauskaitė, Laura
    Evans, Dean
    Rihtnesberg, David
    Almqvist, Susanne
    Becanovic, Smilja
    Costard, Eric
    Höglund, Linda
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2204225.pdf
    Data publikacji:
    2023
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
    Tematy:
    infrared detectors
    short-wavelength infrared
    InAs/GaSb superlattice
    type-II superlattice
    Opis:
    This work investigates the potential of InAs/GaSb superlattice detectors for the shortwavelength infrared spectral band. A barrier detector structure was grown by molecular beam epitaxy and devices were fabricated using standard photolithography techniques. Optical and electrical characterisations were carried out and the current limitations were identified. The authors found that the short diffusion length of ~1.8 µm is currently limiting the quantum efficiency (double-pass, no anti-reflection coating) to 43% at 2.8 µm and 200 K. The dark current density is limited by the surface leakage current which shows generation-recombination and diffusion characters below and above 195 K, respectively. By fitting the size dependence of the dark current, the bulk values have been estimated to be 6.57·10ˉ⁶ A/cm² at 200 K and 2.31·10ˉ⁶ A/cm² at 250 K, which is only a factor of 4 and 2, respectively, above the Rule07.
    Źródło:
    Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144555
    1230-3402
    Pojawia się w:
    Opto-Electronics Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mid-wave InAs/GaSb superlattice barrier infrared detectors with nBnN and pBnN design
    Autorzy:
    Gomółka, E.
    Markowska, O.
    Kopytko, M.
    Kowalewski, A.
    Martyniuk, P.
    Rogalski, A.
    Rutkowski, J.
    Motyka, M.
    Krishna, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/201992.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    InAs/GaSb type-II superlattices
    infrared detectors
    barrier detectors
    nBn detector
    p-i-n detector
    InAs
    GaSb
    detektory podczerwieni
    detektor bariery
    detektor nBn
    detektory p-i-n
    Opis:
    We present an investigation of optical and electrical properties of mid-wavelength infrared (MWIR) detectors based on InAs/GaSb strained layer superlattices (SLs) with nBnN and pBnN design. The temperature-dependent behavior of the bandgap was investigated on the basis of absorption measurements. A 50% cut-off wavelength of around 4.5 μm at 80 K and increase of up to 5.6 μm at 290 K was found. Values of Varshni parameters, zero temperature bandgap E0 and empirical coefficients α and β were extracted. Arrhenius plots of dark currents of nBnN and pBnN detectors were compared with the p-i-n design. Dark current density reduction in nBnN and pBnN detectors is observed in comparison to the p-i-n device. This shows a suppression of Shockley-Read-Hall (SRH) processes by means of introducing barrier architecture.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2018, 66, 3; 317-323
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Measurements of low frequency noise of infrared photo-detectors with transimpedance detection system
    Autorzy:
    Ciura, Ł.
    Kolek, A.
    Gawron, W.
    Kowalewski, A.
    Stanaszek, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/221094.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    1/f noise
    infrared detectors
    nBn structure
    HgCdTe heterostructures
    noise measurements
    transimpedance detection system
    type II InAs/GaSb superlattice
    Opis:
    The paper presents the method and results of low-frequency noise measurements of modern mid-wavelength infrared photodetectors. A type-II InAs/GaSb superlattice based detector with nBn barrier architecture is compared with a high operating temperature (HOT) heterojunction HgCdTe detector. All experiments were made in the range 1 Hz - 10 kHz at various temperatures by using a transimpedance detection system, which is examined in detail. The power spectral density of the nBn’s dark current noise includes Lorentzians with different time constants while the HgCdTe photodiode has more uniform 1/f - shaped spectra. For small bias, the low-frequency noise power spectra of both devices were found to scale linearly with bias voltage squared and were connected with the fluctuations of the leakage resistance. Leakage resistance noise defines the lower noise limit of a photodetector. Other dark current components give raise to the increase of low-frequency noise above this limit. For the same voltage biasing devices, the absolute noise power densities at 1 Hz in nBn are 1 to 2 orders of magnitude lower than in a MCT HgCdTe detector. In spite of this, low-frequency performance of the HgCdTe detector at ~ 230K is still better than that of InAs/GaSb superlattice nBn detector.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2014, 21, 3; 461-472
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies