Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Detektory" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Teoretyczna analiza właściwości heterozłącza pP⁺ w temperaturze pokojowej za pomocą zaawansowanej symulacji komputerowej
Theoretical analysis of near-room temperature pP⁺ HgCdTe heterojunction using an advanced numerical method
Autorzy:
Gawron, W.
Jóźwikowski, K.
Kopytko, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/210677.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
detektory podczerwieni
HgCdTe
heterozłącza
infrared detectors
heterojunctions
Opis:
Artykuł przedstawia wyniki obliczeń teoretycznych parametrów heterozłącza pP⁺ w temperaturze pokojowej wykonanych za pomocą zaawansowanej symulacji komputerowej. Dla porównania przedstawiono także wyniki obliczeń parametrów heterozłącza N⁺p. Wszystkie obliczenia wykonane są dla temperatury 300 K przy oświetlaniu złącza od strony obszaru silnie domieszkowanego promieniowaniem o długości fali 10,6 µm. Wykorzystano oryginalne metody i programy komputerowe opracowane w Zakładzie Fizyki Ciała Stałego.
We report on the results of theoretical calculation of near-room temperature HgCdTe pP⁺ heterojunction. The calculated parameters of pP⁺ junction were compared with parameters of N⁺p junction. All the analyses were done under 300 K temperatures after illuminating the structure from a highly doped layer by the light with a wavelength of 10.6 µm. We have taken advantage of original methods of numerical simulation using computer programmes prepared at the Institute of Applied Physics.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2011, 60, 4; 161-176
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mid-wave InAs/GaSb superlattice barrier infrared detectors with nBnN and pBnN design
Autorzy:
Gomółka, E.
Markowska, O.
Kopytko, M.
Kowalewski, A.
Martyniuk, P.
Rogalski, A.
Rutkowski, J.
Motyka, M.
Krishna, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201992.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
InAs/GaSb type-II superlattices
infrared detectors
barrier detectors
nBn detector
p-i-n detector
InAs
GaSb
detektory podczerwieni
detektor bariery
detektor nBn
detektory p-i-n
Opis:
We present an investigation of optical and electrical properties of mid-wavelength infrared (MWIR) detectors based on InAs/GaSb strained layer superlattices (SLs) with nBnN and pBnN design. The temperature-dependent behavior of the bandgap was investigated on the basis of absorption measurements. A 50% cut-off wavelength of around 4.5 μm at 80 K and increase of up to 5.6 μm at 290 K was found. Values of Varshni parameters, zero temperature bandgap E0 and empirical coefficients α and β were extracted. Arrhenius plots of dark currents of nBnN and pBnN detectors were compared with the p-i-n design. Dark current density reduction in nBnN and pBnN detectors is observed in comparison to the p-i-n device. This shows a suppression of Shockley-Read-Hall (SRH) processes by means of introducing barrier architecture.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2018, 66, 3; 317-323
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Korelacyjny pomiar gęstości widmowej mocy szumów detektorów fotonowych do spektroskopii absorpcyjnej
Cross-correlation method for noise measurements of photodetectors used for laser absorption spectroscopy
Autorzy:
Achtenberg, Krzysztof
Mikołajczyk, Janusz
Bielecki, Zbigniew
Wojtas, Jacek
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1857073.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
szumy
detektory IR
spektroskopia absorpcyjna w podczerwieni
detektor supersieciowy
noise
infrared detectors
infrared absorption spectroscopy
superlattice detector
Opis:
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów gęstości widmowej napięcia szumów detektorów fotonowych o małych rezystancjach przy użyciu specjalnie opracowanego stanowiska pomiarowego. Badania tych detektorów mają duże znaczenie dla wielu aplikacji. Są one szczególnie istotne dla układów laserowej spektroskopii absorpcyjnej do wykrywania śladowych ilości gazów. Uzyskiwana w nich granica wykrywalności jest bezpośrednio związana nie tylko z szumami źródeł promieniowania i szumem tła, lecz także z szumami detektora oraz kolejnych stopni fotoodbiornika. Zastosowanie w opracowanym systemie specjalnie zaprojektowanych ultramałoszumowych torów pomiarowych (wzmacniacze o napięciu szumów 3,6 × 10⁻¹⁹ V² /Hz dla f > 1 kHz) oraz operacji korelacji sygnałów w czasie 10 minut umożliwiło uzyskanie szumu tła poniżej 10⁻¹⁸ V² /Hz dla f > 10 Hz oraz poniżej 10⁻¹⁹ V² /Hz dla f > 1 kHz. Efektywność systemu zweryfikowano poprzez pomiary referencyjnych rezystorów, a następnie detektora z supersieci drugiego rodzaju (T2SL) wykonanego z InAs/InAsSb.
The paper presents noise measurements of low-resistance photon detectors with a specially developed system. These measurements are significant for many applications. This issue is particularly critical for laser absorption spectroscopy systems to detect trace amounts of gases. In these systems, the detection limit is determined by noise origins, e.g., light source, background, and detector noise and its readout electronics. The use of some specially designed components of the system (low-noise - 3.6 × 10⁻¹⁹ V² /Hz for f >1 kHz) cross-correlation signal processing provides to obtain a measuring floor noise below 10⁻¹⁸ V² /Hz for f > 10 Hz and below 10⁻¹⁹ V² /Hz for f > 1 kHz after ten minutes’ analysis. Measurements of some reference resistors have verified the system’s performance. Finally, the system was also applied to determine the spectral noise density of the II-Type SuperLattice photodetector made of InAs/InAsSb.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2020, 69, 4; 73-83
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Detektory podczerwieni z supersieci II rodzaju układu InAs/GaInSb
Type-II InAs/GaInSb superlattices for infrared photodetectors
Autorzy:
Gawron, W.
Rogalski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/209342.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
detektory podczerwieni
kwantowe efekty rozmiarowe
supersieci II rodzaju z InAs/GaInSb
infrared detectors
low dimensional solids
type II InAs/GaInSb superlattices
Opis:
Artykuł przedstawia stan rozwoju nowej generacji detektorów podczerwieni fotodiod z supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb. O ich fundamentalnych właściwościach decydują kwantowe efekty rozmiarowe. Ta nowa tematyka badawcza została podjęta w VIGO System S.A. w ramach realizacji zadania nr 3 programu zamawianego PBZ-MNiSW 02/I/2007. Celem tego zadania jest opracowanie i zbadanie właściwości fotodiod detektorów podczerwieni na bazie supersieci. Podstawę do konstrukcji fotodiod będą stanowić struktury z supersieci II rodzaju z InAs/InGaSb, wykonane w ramach zadania nr 2 PBZ-MNiSW 02/I/2007 realizowanego równolegle w Instytucie Technologii Elektronowej.
This article presents state of the art of new generation of infrared detectors based on low dimensional solids type II InAs/GaSb superlattices for photovoltaic detectors. This new scientific program has been undertaken in VIGO System S.A. owing to realization of grant 3 PBZ-MNiSW 02/I/2007 supported by the Polish Ministry of Science and Higher Education.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2009, 58, 4; 7-16
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies