Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Indium-Tin Oxide" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Evaluation of electrical resistivity, residual stress and surface roughness of sputtering indium tin oxide films with different thicknesses
Autorzy:
Tien, Chuen-Lin
Lin, Tsai-Wei
Su, Shu-Hui
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2033888.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
indium tin oxide
magnetron sputtering
residual stress
surface roughness
Opis:
This paper investigates the influence of film thickness on the electrical and mechanical properties of transparent indium tin oxide (ITO) thin films. Two groups of ITO thin films deposited on unheated substrates were prepared by the radio-frequency magnetron sputtering technique. The biaxial residual stress and surface roughness for two groups of ITO thin films were measured by a Twyman–Green interferometer and a Linnik microscopic interferometer, respectively. The electrical resistivity of the ITO films was measured by a four-point probe apparatus, the thickness was determined mechanically with a profilometer. The measurement results show that the average resistivity of ITO thin films decreases with increasing the deposited thickness. The compressive residual stress in the ITO thin films decreases with increasing the deposited thickness. We also find that an anisotropic stress in the two groups of ITO films is more compressive in a certain direction. The RMS surface roughness in the two groups of ITO films is less than 1 nm.
Źródło:
Optica Applicata; 2021, 51, 4; 499-512
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Joining Of Green Body And Dense Substrate For Indium Tin Oxide Under Uniaxial Pressure In An Open Condition
Łączenie zielonej masy i gęstego podłoża z tlenku cyny indu w warunkach jednoosiowego ściskania w stanie otwartym
Autorzy:
Moon, G.-S.
Chung, T.-J.
Yang, S. H.
Hong, G.-S.
Oh, K.-S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/355654.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
transparent conducting oxide
indium tin oxide
green body
joining
tlenek indu
zielona masa
łączenie
Opis:
The green body and dense substrate of indium tin oxide was joined by uniaxially pressing at 0.3 MPa at 1300°C to test the restoring of the eroded part of transparent conducting oxide target. The green body was sintered to 98% of theoretical density under the suppression of shrinkage along the boundary below 5%. The boundary between two parts was free of pore but could be recognized from the difference in grain sizes. The joined part had the virtually same density with the substrate, but the grain size was less than one fifth compared with that of substrate.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 2B; 1209-1212
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies