Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "ind" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Impact of selected parameters on extraction of indium from LCD screens
    Wpływ wybranych parametrów na proces ługowania indu z ekranów LCD
    Autorzy:
    Stępień, M.
    Palimąka, P.
    Bukowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/263803.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
    Tematy:
    indium
    ITO
    LCD panels
    recycling
    ind
    panele LCD
    recykling
    Opis:
    Due to the minute availability of indium and its crucial importance to the world economy, it is necessary to find alternative sources of this metal. As a large proportion of indium production is consumed for the purpose of LCD screen manufacturing, it seems reasonable to investigate their recycling leading to the recovery of this metal. The present work investigates the impact of time, temperature, and the concentration of sulfuric acid on the effectiveness of indium extraction from milled LCD panel glass scrap originating from portable computers manufactured between 2005 and 2012. The conclusion of our research defines the optimal conditions for extraction.
    Ze względu na niewielkie zasoby indu i jego kluczowe znaczenie dla gospodarki światowej konieczne jest poszukiwanie alternatywnych zasobów tego metalu. Ponieważ ind wykorzystywany jest głównie w produkcji ekranów w technologii LCD, racjonalny wydaje się ich recykling w kierunku odzysku tego pierwiastka. W niniejszej pracy zbadano wpływ czasu, temperatury oraz stężenia kwasu siarkowego na efektywność ługowania indu ze zmielonej frakcji szklanej paneli LCD pochodzących z komputerów przenośnych z lat 2005–2012. W wyniku badań określono optymalne warunki ługowania.
    Źródło:
    Metallurgy and Foundry Engineering; 2017, 43, 4; 305-311
    1230-2325
    2300-8377
    Pojawia się w:
    Metallurgy and Foundry Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hydrometallurgical methods of indium recovery from obsolete LCD and LED panels
    Hydrometalurgiczne metody odzysku indu z zużytych paneli LCD i LED
    Autorzy:
    Kristofova, P.
    Rudnik, E.
    Miskufova, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/264333.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
    Tematy:
    indium
    LCD
    LED
    ITO
    hydrometallurgy
    recycling
    ind
    hydrometalurgia
    recykling
    Opis:
    This paper shows a review of literature data on the possibilities of indium recovery from ITO layers of waste LCD and LED displays. A short characterization of indium, its compounds, resources, production, and applications is presented. The structure and operation of LCD displays are shown. A detailed overview of the ITO leaching process is presented. Methods of indium(III) ion separation from the leachate solutions (SX, HoLLE, IX) as well as recovery of the final products (precipitation, cementation, electrowinning) are also shown.
    Artykuł przedstawia przegląd literatury na temat odzysku indu z warstw ITO w zużytych panelach LCD i LED. Przedstawiono krótką charakterystykę indu, jego związków chemicznych, zasobów, produkcji i zastosowań. Omówiono budowę i zasadę działania paneli LCD. W sposób szczegółowy opisano proces ługowania ITO. Przedyskutowano także metody rozdziału jonów indu(III) z roztworów po ługowaniu (SX, HoLLE, IX) oraz odzysku produktów końcowych (strącanie, cementacja, elektroliza).
    Źródło:
    Metallurgy and Foundry Engineering; 2016, 42, 3; 157-170
    1230-2325
    2300-8377
    Pojawia się w:
    Metallurgy and Foundry Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Właściwości fizyko-chemiczne cienkich warstw ZnO-In-O
    Pysical and chemical properties thin films ZnO-In-O
    Autorzy:
    Ziaja, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159643.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    rozpylanie magnetronowe
    cienkie warstwy
    cynk
    ind
    magnetron sputtering
    thin fims
    zinc
    indium
    Opis:
    W pracy przedstawiono wyniki badań właściwości elektrycznych cienkich warstw tlenkowych Zn-In-O. Warstwy te otrzymano metodą impulsowego rozpylania magnetronowego metalicznego targetu o składzie wagowym 80%Zn-20%In w obecności czystego argonu. Przedstawiono wpływ częstotliwości grupowej na skład chemiczny i mikrostrukturę uzyskanych warstw. Częstotliwość grupową zmieniano od 50 Hz do 4,5 KHz. Ciśnienie gazu roboczego ustalono na poziomie 1,3 Pa, a moc wydzieloną na elektrodzie podczas procesu rozpylania na poziomie 200 W. Warstwy tlenkowe do badań mikroskopowych nakładano na podłoża szklane typu CORNIG, a do badań elektrycznych na podłoża szklane z naniesioną przewodzącą warstwę tlenku cyny i indu (ITO). Badania prądów resorpcji i absorbcji wykazały, że w warstwach istnieje ładunek elektryczny wprowadzony podczas procesu rozpylania. Stwierdzono również wpływ częstotliwości grupowej na skład chemiczny uzyskanych warstw. Wykazano, że ze zwiększeniem częstotliwości grupowej zwiększa się liczba i rozmiar skupisk metalicznego indu.
    The paper presents the results of the electrical properties of the oxide layers Zn-In-O. These layers were obtained by pulsed magnetron sputtering of metallic targetu composition by weight 80% Zn – 20% In the presents of pure argon. The influence of group frequency on the chemical composition and microstructure of the obtained layers. Frequency group varied from 50 Hz to 4.5 KHz. Working gas pressere was set at 1.3 Pa and the power of a dedicated process on the electroce sputtering at 200 W. Oxaide layers for microscopic examination was applied to a gass substrate CORNING, and electrical testing on glass substrates coated with a coductive layer of tin oxide and indium (ITO). Studies of bone resorption and absorption currents have shown that i the layers is the electric charge introdiuced during the sputtering process. It was also influenced by the frequencey of group on the chemical composition of the layers obtained. I was shown that an increase in the frequencey of group increases the number and size of cluster of large numbers of indium matal.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 259; 49-50
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies