Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Warchoł, S." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Post-implantation defects instability under 1 MeV electron irradiation in GaAs
Autorzy:
Warchoł, S.
Rzewuski, H.
Krynicki, J.
Grötzschel, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146724.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
electron annealing
GaAs
implantation
Opis:
The influence of 1 MeV electron irradiation on the stability of post-implantation defects in GaAs has been investigated. The n-type GaAs wafers of <100> orientation were implanted with 150 keV As+ ions below the amorphization threshold at RT using the implantation dose of 2×1013 ions cm–2 at a constant flux of 0.1 žA cm–2. Then the implanted samples were irradiated with a scanned beam of 1 MeV electrons from a Van de Graaff accelerator in a dose range (0.5–5.0)×1017 cm–2 at 320 K. RBS and channeling spectroscopy of 1.7 MeV 4He+ ions were used to determine the depth distribution of defect concentration before and after 1 MeV irradiations. New results of an "oscillatory" behaviour of the damage level as a function of 1 MeV electron fluence are presented.
Źródło:
Nukleonika; 2000, 45, 4; 225-228
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Angular dependence of post-implantation damage recovery under 1 MeV electron irradiation in GaAs
Autorzy:
Warchoł, S.
Rzewuski, H.
Krynicki, J.
Grotzschel, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/147146.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
electron annealing
GaAs
implantation
Opis:
The angular dependence of post-implantation defects removal in GaAs irradiated with 1 MeV electrons from a Van de Graaff accelerator has been investigated. The possible way of enhancing defect annealing consists in ionization created by electron irradiation. In this paper new results of a damage level behaviour dependent on 1 MeV electron beam angle irradiation are presented. GaAs single crystals of <100> orientation were implanted with 150 keV As+ ions at RT and then irradiated with a scanning beam of 1 MeV electrons at some selected angles. Rutheford Backscattering Spectroscopy (RBS) of 1.7 MeV 4He+ ions were used to determine the depth distribution of defect concentration before and after electron irradiation. The results relate clearly the ionization intensity created by the electron beam with angle of incidence with respect to the GaAs <100> orientation.
Źródło:
Nukleonika; 2002, 47, 1; 19-21
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies