Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "roztwór wysokotemperaturowy" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Wpływ składu roztworu wysokotemperaturowego na wartościowość jonów metali przejściowych w warstwach epitaksjalnych YAG i GGG
The influence of high temperature solution composition on transition metal ions valency in YAG and GGG epitaxial layers
Autorzy:
Sarnecki, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192156.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
LPE
YAG
GGG
metal przejściowy
roztwór wysokotemperaturowy
temperatura nasycenia
wartościowość jonu
widmo absorpcji
transition metals ion
high temperature solution
saturation temperature
ion valency absorption spectrum
Opis:
Określono warunki wzrostu epitaksjalnego warstw YAG i GGG zawierających wybrane jony metali przejściowych z grupy żelaza o założonej wartościowości. Warstwy osadzane metodą epitaksji z fazy ciekłej domieszkowano jonami chromu, kobaltu i niklu. Z widm absorpcyjnych warstw wynika, że koncentracja w warstwach centrów Cr4+, Cr3+, Co3+, Co2+ oraz Ni2+ i zajmowane przez te jony pozycje w sieci zależą od wyjściowego stosunku ułamka molowego w roztworze wysokotemperaturowym tlenku metalu przejściowego i tlenku jonu kompensującego ładunek. Wyznaczono wartość współczynnika absorpcji warstw w zależności od składu roztworu wysokotemperaturowego.
Liquid phase epitaxy from high temperature solution was used to grow YAG and GGG epitaxial layers doped chromium, cobalt and nickel ions with required valency. Analysis of the absorption spectra shows the influence of transition metal oxide and charge compensator oxide molar ratio in the high temperature solution on the concentration and sites occupancy of Cr4+, Cr3+, Co3+, Co2+ and Ni2+ ions in YAG and GGG layers. The dependence between composition of high temperature solution and layer absorption coefficients was estimated.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 3, 3; 30-43
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies