Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Mańkowska, Ewa" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Wpływ wygrzewania na wybrane właściwości mieszanych tlenków miedzi i tytanu
Influence of annealing on selected properties of mixed copper and titanium oxides
Autorzy:
Mańkowska, Ewa
Mazur, Michał
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2203162.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
elektronika
czujniki wodoru
mieszaniny tlenków miedzi i tytanu
cienkie warstwy
rozpylanie magnetronowe
electronics
hydrogen gas sensor
mixed copper and titanium oxides
thin films
magnetron sputtering
Opis:
Praca poświęcona jest badaniom wpływu wygrzewania poprocesowego na morfologię mieszanych tlenków miedzi i tytanu, a także na ich właściwości elektryczne i czujnikowe. Cienkie warstwy (Cu,Ti)Ox naniesiono za pomocą rozpylania magnetronowego na podłoża z krzemionki amorficznej oraz na podłoża ceramiczne ze zintegrowanymi elektrodami. Dodatkowo zastosowano termiczną obróbkę poprocesową w temperaturach 200°C oraz 250°C. Zmianę struktury w procesie utleniania termicznego badano za pomocą dyfrakcji rentgenowskiej, natomiast dzięki profilometrowi optycznemu określono morfologię powierzchni cienkich warstw. W celu określenia właściwości elektrycznych zmierzono charakterystyki prądowo-napięciowe oraz termoelektryczne, na podstawie których wyznaczono rezystancję oraz typ przewodnictwa. Cienkie warstwy (Cu,Ti)Ox poddane obróbce poprocesowej charakteryzowały się dziurowym typem przewodnictwa, a co więcej silnie reagowały na obecność wodoru w atmosferze pomiarowej.
This work presents an investigation of the effects of post-process annealing on the morphology of mixed copper and titanium oxides and on their electrical and hydrogen sensing properties. (CuTi)Ox thin films were deposited by magnetron sputtering on amorphous silica and ceramic substrates with interdigitated electrodes. In addition, post-process thermal treatment was applied at the temperatures of 200°C and 250°C. The transformation of the thin film structure during the thermal oxidation process was studied by X-ray diffraction, while the morphology of the thin films was determined using an optical profilometer. Current-voltage and thermoelectric characteristics were measured to determine electrical properties, from which the resistance and conduction type were determined. The post-treatment (CuTi)Ox thin films exhibited hole-type conduction and, additionally, strongly responded to hydrogen atmosphere.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2022, 71, 2; 41--48
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Memristors : a Short Review on Fundamentals, Structures, Materials and Applications
Autorzy:
Domaradzki, Jarosław
Wojcieszak, Damian
Kotwica, Tomasz
Mańkowska, Ewa
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226873.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
memristor
materials
electronics
applications
Opis:
The paper contains a short literature review on the subject of special type of thin film structures with resistive-switching memory effect. In the literature, such structures are commonly labeled as "memristors". The word "memristor" originates from two words: "memory" and "resistor". For the first time, the memristor was theoretically described in 1971 by Leon Chua as the 4th fundamental passive electronics element with a non-linear current-voltage behavior. The reported area of potential usage of memristor is enormous. It is predicted that the memristor could find application, for example in the domain of nonvolatile random access memory, flash memory, neuromorphic systems and so forth. However, in spite of the fact that plenty of papers have been published in the subject literature to date, the memristor still behaves as a "mysterious" electronic element. It seems that, one of the important reasons that such structures are not yet in practical use, is unsufficient knowledge of physical phenomena determining occurrence of the switching effect. The present paper contains a literature review of available descriptions of theoretical basis of the memristor structures, used materials, structure configurations and discussion about future prospects and limitations.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2020, 66, 2; 373-381
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies