Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Ozga, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Transport Phenomena In Single Crystals Tl1−XIn1−XGeXSe2 (x=0.1, 0.2)
    Zjawiska transportu w monokryształach Tl1-XIn1-XGeXSe2 (x=0.1, 0.2)
    Autorzy:
    Zamurueva, O. V.
    Myronchuk, G. I.
    Oźga, K.
    Szota, M.
    El-Naggar, A. M.
    Albassam, A. A.
    Parasyuk, O. V.
    Piskach, L. V.
    Kityk, I. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/357004.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    Tl1−xIn1−xGexSe2 single crystal
    chalcogenide crystals
    transport features
    photoinduced birefringence
    electroconductivity mechanisms
    Urbach rule
    monokryształy TL1-xIn1-xGax Se2
    zdelokalizowane nośniki
    stany zlokalizowane
    funkcje komunikacyjne w monokryształach
    fotoindukowanie
    przewodzenie elektryczne
    zasada Urbacha
    Opis:
    Temperature dependences of electroconductivity for single crystals Tl1−xIn1−xGexSe2 were analyzed. It was established an occurrence of thermoactivated states within the temperature range 100-300 K. The conductivity is formed by delocalized carriers within the conductivity band and the jumping conductivity over the localized states which are situated in the narrow localized states near the Fermi level. Following the performed data the activation energy was evaluated with accuracy up to 0.02 eV. The density of the localized states as well as the distribution of the energy over the mentioned states was evaluated. Additionally the average distance between the localized states is evaluated at different temperatures.
    Analizowano zależności temperaturowe przewodności elektrycznej dla monokryształów Tl1−xIn1−xGexSe2. Ustalono pojawienie się stanów termo-aktywnych w zakresie temperatur 100-300 K. Przewodnictwo tworzone jest przez zdelokalizowane nośniki w paśmie przewodnictwa i skoki przewodnictwa po stanach zlokalizowanych, znajdujących się w wąskich zlokalizowanych stanach w pobliżu poziomu energii Fermiego. Wartość energii aktywacji oszacowano z dokładnością do 0,02 eV. Wyznaczono wartości gęstości stanów zlokalizowanych, jak i rozkład energii na wymienionych stanach. Dodatkowo w różnych temperaturach oszacowano średnią odległość pomiędzy stanami zlokalizowanymi.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 3A; 2025-2028
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoinduced Optical Properties Of Tl1-xIn1-xSixSe2 Single Crystals
    Indukowane światłem właściwości optyczne monokryształów Tl1-xIn1-xSixSe2
    Autorzy:
    Myronchuk, G. L.
    Zamurueva, O. V.
    Oźga, K.
    Szota, M.
    El-Naggar, N. S.
    Alzayed, N. S.
    Piskach, L. V.
    Parasyuk, O. V.
    Albassam, A. A.
    Fedorchuk, A. O.
    Kityk, I. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/352746.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    Tl1-xIn1-xSixSe2 single crystal
    chalcogenide crystals
    optical properties
    photoinduced absorption
    dark electroconductivity
    electroconductivity mechanisms
    monokryształy Tl1-xIn1-xSixSe2
    kryształy soli tlenowców
    właściwości optyczne
    absorpcja fotoindukowana
    ciemna przewodność elektryczna
    mechanizmy przewodności elektrycznej
    Opis:
    The influence of temperature on electroconductivity and photoinduced changes of the absorption at 0.15 eV under influence of the second harmonic generation of CO2 laser for the two type of single crystals were investigated. The single crystals Tl1−xIn1−xSixSe2 (x=0.1 and 0.2) have been grown by the two-zone Bridgaman-Stockbarger method. The temperature studies of electroconductivity were done in cryostat with thermoregulation in the temperature 77 - 300 K, with stabilization ±0.1 K. Photoinduced treatment of the investigated single crystals were performed using the 180 ns pulses second harmonic generation of the CO2 laser operating at 5.3 μm. Experimental studies have shown that for the Tl1−xIn1−xSixSe2 single crystals with decreasing temperature from 300 up to 240 K and from 315 up to 270 K the conductivity is realized by thermally excited impurities with activation energies equal to about 0.24 eV and 0.22 eV for x= 0.1 and 0.2, respectively. Photoinduced absorption achieves its maximum at a power density below 100 mJ/cm2. Has been shown that the samples with x=0.2 demonstrated higher changes of the photoinduced absorption with respect to the x=0.1. With further decreasing temperature is observed monotonic decrease in the activation energy of conductivity. The origin of these effects is caused by the excitations of both the electronic as well as phonon subsystem. At some power densities the anharmonic excitations become dominant and as a consequence the photoinduced absorption dependence is saturated what were observed. Additionally, we were evaluated at given temperature the average jump length of R for localized states near Fermi level.
    W pracy badano wpływ temperatury na przewodnictwo elektryczne oraz indukowane światłem zmiany absorpcji optycznej przy 0.15 eV, pod działaniem drugiej harmonicznej lasera CO2 dla dwóch typów monokryształów. Monokryształy Tl1−xIn1−xSixSe2 (x=0.1 i 0.2) otrzymano w pionowym dwustrefowym piecu metodą Bridgamana-Stockbargera. Badania temperaturowe przewodności elektrycznej przeprowadzono w kriostacie z termoregulacją, w temperaturze 77-300 K, przy stabilizacji ±0,1 K. Fotoindukowaną obróbkę laserową monokryształów wykonano przy użyciu 180 ns impulsów drugiej harmonicznej lasera CO2 o długości fali 5,3 μm. Eksperymentalnie wykazano, że z obniżaniem temperatury od 300 do 240 K i od 315 do 270 K przewodnictwo elektryczne monokryształów Tl1−xIn1−xSixSe2 jest wywołane przez wzbudzenia termicznie domieszek z energią aktywacji równą około 0,24 eV i 0,22 eV dla ő = 0,1 i 0,2, odpowiednio. Indukowana optycznie absorpcja osiąga maksimum przy gęstości mocy poniżej 100 mJ/cm2. Stwierdzono, że próbka z x = 0,2 wykazuje większe zmiany absorpcji indukowanej światłem w porównaniu do próbki z x = 0.1. Z dalszym spadkiem temperatury obserwowano monotoniczny spadek energii aktywacji przewodnictwa. Pochodzenie tych efektów jest spowodowane przez wzbudzanie zarówno podsystemu elektronowego jak i fonononowego. Przy niektórych gęstościach mocy wzbudzenia anharmoniczne zaczynają dominować, co w konsekwencji prowadzi do nasycenia indukowanej światłem zależności absorpcji optycznej. Dodatkowo w pracy wyznaczono dla danej temperatury średnią długość skoku R dla stanów zlokalizowanych w pobliżu poziomu Fermiego.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 2A; 1051-1055
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies