Temat: SOI - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Characterization of SOI MOSFETs by means of charge-pumping
Autorzy:: Głuszko, G.
Szostak, S.
Gottlob, H.
Lemme, M.
Łukasiak, L.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308671.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: charge-pumping
electrical characterization
interface traps
SOI MOSFET
Opis:: This paper presents the results of charge-pumping measurements of SOI MOSFETs. The aim of these measurements is to provide information on the density of interface traps at the front and back Si-SiO2 interface. Three-level charge-pumping is used to obtain energy distribution of interface traps at front-interface.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 67-72
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Charge-pumping characterization of SOI devices fabricated by means of wafer bonding over pre-patterned cavities
Autorzy:: Głuszko, G.
Łukasiak, L.
Kilchytska, V.
Chung, T. M.
Olbrechts, B.
Flandrie, D.
Raskin, J. P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308669.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: charge-pumping
electrical characterization
interface traps
SOI
water bonding
Si layer transfer
Opis:: The quality of the silicon-buried oxide bonded interface of SOI devices created by thin Si film transfer and bonding over pre-patterned cavities, aiming at fabrication of DG and SON MOSFETs, is studied by means of chargepumping (CP) measurements. It is demonstrated that thanks to the chemical activation step, the quality of the bonded interface is remarkably good. Good agreement between values of front-interface threshold voltage determined from CP and I-V measurements is obtained.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 61-66
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja