Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Balitskii, O." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Data science approaches to diagnostics of metal stress-strain state using semiconductor sensor suitable for system design
Przydatne dla zbioru danych naukowych i projektowania systemowego diagnozowanie stanu naprężenia - odkształcenia w metalach za pomocą sensorów półprzewodnikowych
Autorzy:
Balitskii, O.
Kolesnikow, W.
Owsyannikow, A.
Lizunow, S.
Eliasz, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/107738.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
diagnostics
stress-strain state
semiconductor sensor
data science
system design
diagnostyka
stan naprężenia-odkształcenia
sensor półprzewodnikowy
zbiór danych naukowych
projektowanie systemowe
Opis:
Article describes the data science approaches to diagnostics of metal stress-strain state using semiconductor sensor suitable for system design. It has been described the elongation curves (on permanent loading 370-450 MPa) in time of St3 (kp, sp) specimens in initial state, after treatment in He and H2 with pressure 35 MPa and temperature 623 К during 10 hours as well as a curves of the average signal of semiconductor sensors that controls this process and spectral sensitivity of the semiconductor sensors of the visible range depending on the time of the exposure of the samples.
W artykule pokazano możliwość diagnozowania stanu naprężenia-odkształcenia w metalach za pomocą sensorów półprzewodnikowych, przydatne dla zbioru danych naukowych i projektowania systemowego. Przedstawiono krzywe wydłużenia (przy stałym naprężeniu 370-450 MPa) w czasie próbek ze stali St3 (kp, sp) w stanie wejściowym, po obrobce w He i w H2 z ciśnieniem 35 MPa przy temperaturze 623 К w ciągu 10 godz., a także krzywe średniego sygnału sensora półprzewodnikowego, który obserwuje ten proces i czujność spektralna sensorów półprzewodnikowych diapazonu widocznego w zależności od czasu ekspozycji próbek.
Źródło:
Badania Nieniszczące i Diagnostyka; 2018, 1; 28-32
2451-4462
2543-7755
Pojawia się w:
Badania Nieniszczące i Diagnostyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies