Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Tan, Q" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Evaluation of gate drive circuit effect in cascode GaN-based applications
Autorzy:
Tan, Q. Y.
Narayanan, E. M. S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2173545.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
cascode GaNFETs
parasitics
buck converter
gate drive design
kaskoda GaNFETs
przetwornica
pasożytnictwo
projekt napędu bramy
Opis:
This work evaluates the influence of gate drive circuitry to cascode GaN device’s switching waveforms. This is done by comparing three PCBs using three double-pulse-test (DPT) with different gate driving loop design. Among important parasitic elements, source-side inductance shows a significant impact to gate-source voltage waveform. A simulation model based on experimental measurement of the cascode GaNFET used in this work is modified by author. The simulation model is implemented in a synchronous buck converter topology and hereby to assess the impact of gate driving loop of cascode GaN device in both continuous conduction mode (CCM) and critical conduction mode (CRM). Apart from simulation, a synchronous buck converter prototype is presented for experimental evaluation, which shows a 99.15% efficiency at 5A under soft-switching operation (CRM) with a 59ns dead-time.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 2; art. no. e136742
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Evaluation of gate drive circuit effect in cascode GaN-based applications
Autorzy:
Tan, Q. Y.
Narayanan, E. M. S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2128152.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
cascode GaNFETs
parasitics
buck converter
gate drive design
kaskoda GaNFETs
przetwornica
pasożytnictwo
projekt napędu bramy
Opis:
This work evaluates the influence of gate drive circuitry to cascode GaN device’s switching waveforms. This is done by comparing three PCBs using three double-pulse-test (DPT) with different gate driving loop design. Among important parasitic elements, source-side inductance shows a significant impact to gate-source voltage waveform. A simulation model based on experimental measurement of the cascode GaNFET used in this work is modified by author. The simulation model is implemented in a synchronous buck converter topology and hereby to assess the impact of gate driving loop of cascode GaN device in both continuous conduction mode (CCM) and critical conduction mode (CRM). Apart from simulation, a synchronous buck converter prototype is presented for experimental evaluation, which shows a 99.15% efficiency at 5A under soft-switching operation (CRM) with a 59ns dead-time.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 2; e136742, 1--7
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies