Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "reorganization energy" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Electrical and thermal properties of anthrone
Elektryczne i termiczne własności antronu
Autorzy:
Kania, Sylwester
Kuliński, Janusz
Sikorski, Dominik
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2022177.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
anthrone
differential scanning calorimetry
DSC
reorganization energy
DFT calculations
antron
różnicowa kalorymetria skaningowa
energia reorganizacji
obliczenia DFT
Opis:
Electrical and thermal properties of anthrone Quantum-chemical density functional theorem (DFT) calculations indicate that the value of the reorganization energy indicates the possibility of efficient hole capture by the anthrone molecule during transport process of charge carriers. Differential scanning calorimetry (DSC) studies indicate the temperature stability of anthrone molecules above the melting point up to 164°C. The glass transition is determined at 153.7°C and melting point at 157.05°C.
Obliczenia funkcjonału kwantowo-chemicznego (DFT) wskazują, że wartość energii reorganizacji wskazuje na możliwość efektywnego wychwytywania dziur przez cząsteczkę antronu podczas transportu nośników ładunku. Badania metodą różnicowej kalorymetrii skaningowej (DSC) wskazują na stabilność temperaturową cząsteczek antronu powyżej temperatury topnienia do 164°C. Temperaturę zeszklenia określono jako Tg = 153,7°C, a temperaturę topnienia jako Tc = 157,05°C.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2020, 41; 43-51
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The effect of the dipole moment on hole conductivity of polycrystalline films of two anthracene derivatives
Wpływ momentu dipolowego na przewodnictwo dziur w warstwach polikrystalicznych dwu pochodnych antracenu
Autorzy:
Kania, S.
Kościelniak-Mucha, B.
Kuliński, J.
Słoma, P.
Wojciechowski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296414.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
charge carrier mobility
reorganization energy
transfer integral
anthrone
anthraquinone
TD-DFT
hole drift mobility
carrier transport
dipole moment
polycrystalline films
ruchliwość nośników ładunku
energia reorganizacji
antron
antrachinon
dryftowa ruchliwość dziur
transport nośników ładunku
moment dipolowy
warstwy polikrystaliczne
Opis:
Hole mobility in the polycrystalline layers of anthrone and anthraquinone differs in one order of magnitude in spite of nearly the same crystalline structure. The origin of this difference was determined with use of the quantum-mechanical calculations carried out at the density functional theory level using the B3lYP functional in conjunction with the 6-311++G(d,p) basis set. Based on theses calculations, we suppose that these difference can result from the presence of the dipol moment in the anthrone molecules.
Ruchliwości dziur w polikrystalicznych warstwach antronu i antrachinonu różnią się prawie o jeden rząd wielkości, pomimo niemal tej samej struktury krystalicznej. Źródło tej różnicy próbowano określić przy użyciu obliczeń kwantowo-mechanicznych przeprowadzonych na poziomie teorii funkcjonału gęstości (DFT) z wykorzystaniem funkcjonału B3LYP, stosując funkcje bazy 6-311++G(d,p). Na podstawie tych obliczeń przypuszczamy, że ta różnica jest wynikiem obecności momentu dipolowego w cząsteczkach antronu.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2017, 38; 27-36
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies