Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "compact modeling" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Verilog-A Compact Semiconductor Device Modelling and Circuit Macromodelling with the QucsStudio-ADMS "Turn-Key" Modelling System
Autorzy:
Brinson, M. E.
Margraf, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/398029.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
QucsStudio
ADMS
Verilog-A
modelowanie turn-key
compact device modelling
turn-key component modeling
Opis:
The Verilog-A "Analogue Device Model Synthesizer" (ADMS) has in recent years become an established modelling tool for GNU General Public License circuit simulator development. Qucs and ngspice are two examples of open source circuit simulators that employ ADMS for compact semiconductor model construction. This paper presents a "turn- key" compact device modelling and circuit macromodelling system based on ADMS and implemented in the QucsStudio circuit design, simulation and manufacturing environment. A core feature of the new system is a modelling procedure which does not require users to manually patch, by hand, circuit simulator C++ code. At the start of QucsStudio simulation the software automatically detects any changes in Verilog-A model code, re-compiling and dynamically linking the modified code to the body of the QucsStudio cod e. The inherent flexibility of the "turn-key" system encourage s rapid experimentation with analogue and RF compact device models and circuit macromodels. In this paper QucsStudio "turn-key" modelling is illustrated by the design of a single stage RF amplifier circuit and the Harmonic Balance large signal AC simulation of a 50 Ω RF diode switch.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2012, 3, 1; 32-40
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modeling the characteristics of high-k HfO2-Ta2O5 capacitor in Verilog-A
Autorzy:
Angelov, G. V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/398142.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
modelowanie elementów elektronicznych
model kompaktowy
symulacja obwodu
dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
Verilog-A
Spectre
device modeling
compact models
circuit simulation
high-k gate dielectric
Opis:
A circuit simulation model of a MOS capacitor with high-k HfO2-Ta2O5 mixed layer is developed and coded in Verilog-A hardware description language. Model equations are based on the BSIM3v3 model core. Capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) characteristics are simulated in Spectre circuit simulator within Cadence CAD system and validated against experimental measurements of the HfO2-Ta2O5 slack structure.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2011, 2, 3; 105-112
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Surface Potential Modeling of a High-k HfO2-Ta2O5 Capacitor in Verilog-A
Autorzy:
Angelov, G. V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397997.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
modelowanie elementów elektronicznych
model kompaktowy
PSP
symulacja obwodu
dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
Verilog-A
Spectre
device modeling
compact models
circuit simulation
high-k gate dielectric
Opis:
A compact model of a high-k HfO2-Ta2O5 mixed layer capacitor stack is developed in Matlab. Model equations are based on the surface potential PSP model. After fitting the C-V characteristics in Matlab the model is coded in Verilog-A hardware description language and it is implemented as external library in Spectre circuit simulator within Cadence CAD system. The results are validated against the experimental measurements of the HfO2-Ta2O5 stack structure.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2012, 3, 3; 111-118
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies