- Tytuł:
- Modeling the characteristics of high-k HfO2-Ta2O5 capacitor in Verilog-A
- Autorzy:
- Angelov, G. V.
- Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/398142.pdf
- Data publikacji:
- 2011
- Wydawca:
- Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
- Tematy:
-
modelowanie elementów elektronicznych
model kompaktowy
symulacja obwodu
dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
Verilog-A
Spectre
device modeling
compact models
circuit simulation
high-k gate dielectric - Opis:
- A circuit simulation model of a MOS capacitor with high-k HfO2-Ta2O5 mixed layer is developed and coded in Verilog-A hardware description language. Model equations are based on the BSIM3v3 model core. Capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) characteristics are simulated in Spectre circuit simulator within Cadence CAD system and validated against experimental measurements of the HfO2-Ta2O5 slack structure.
- Źródło:
-
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2011, 2, 3; 105-112
2080-8755
2353-9607 - Pojawia się w:
- International Journal of Microelectronics and Computer Science
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł