Autor: Whall, T. E. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: SiGe field effect transistors - performance and applications
Autorzy:: Whall, T.E.
Parker, E.H.C.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/307664.pdf
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: SiGe
FETs
epitaxy
circuits
Opis:: Recent and encouraging developments in Schotky and MOS gated Si/SiGe field effect transistors are surveyed. Circuit applications are now beginning to be investigated. The authors discuss some of this work and consider future prospects for the role of SiGe field effect devices in mobile communications.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 3-11
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: DC and low-frequency noise analysis for buried SiGe channel metamorphic PMOSFETs with high Ge content
Autorzy:: Durov, S.
Mironov, O. A.
Myronov, M.
Whall, T. E.
Parker, E. H. C.
Hackbarth, T.
Hoeck, G.
Herzog, H. J.
König, U.
Känel von, H.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/958103.pdf
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: SiGe
metamorphic MOSFET
LF-noise
I-V
C-V
effective hole mobility
Opis:: Measurements of current drive in p-Si1-xGex MOSFETs, with x = 0.7, 0.8 reveal an enhancement ratio of over 2 times as compared to a Si device at an effective channel length of 0.55 žm. They also show a lower knee voltage in the output I-V characteristics while retaining similar values of drain induced barrier lowering, subthreshold swing, and off current for devices with a Sb punch-through stopper. For the first time, we have quantitatively explained the low-frequency noise reduction in metamorphic, high Ge content, SiGe PMOSFETs compared to Si PMOSFETs.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 101-111
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja