Temat: SPICE - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: A versatile tool for extraction of MOSFETs parameters
Autorzy:: Tomaszewski, D.
Kociubiński, A.
Marczewski, J.
Kucharski, K.
Domański, K.
Grabiec, P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308856.pdf
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: MOSFETs parameters
SPICE
least squares method
Opis:: Extraction of MOSFET parameters is a very important task for the purposes of MOS integrated circuits characterization and design. A versatile tool for the MOSFET parameter extraction has been developed in the Institute of Electron Technology (IET). It is used to monitor the technologies applied for fabrication of several groups of devices, e.g., CMOS ASICs, SOI pixel detectors. At present two SPICE MOSFET models (LEVEL = 1, 2) have been implemented in the extraction tool. The LEVEL = 3 model is currently being implemented. The tool combines different methods of parameter extraction based on local as well as global fitting of models to experimental data.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 129-134
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Analiza wpływu nieliniowości modelu termicznego tranzystora MOS mocy na charakterystyki przetwornicy boost
Analisys of the influence of nonlinearity of the thermal model of power mosfet on characteristics of boost converter
Autorzy:: Zarębski, J
Górecka, K.
Górecki, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/377219.pdf
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:: modele termiczne
przetwornica boost
SPICE
analiza elektrotermiczna
Opis:: W pracy przeanalizowano zasadność stosowania nieliniowego modelu termicznego tranzystora MOS mocy przy analizach charakterystyk przetwornicy boost. Przedstawiono postać rozważanego modelu termicznego oraz wyniki elektrotermicznej analizy stanów przejściowych badanego układu, uzyskane przy uwzględnieniu nieliniowości modelu termicznego oraz przy pominięciu tej nieliniowości. Badania przeprowadzono dla przetwornic zawierających dwa różne zestawy półprzewodnikowych elementów kluczujących.
In the paper the necessity of using the non-linear thermal model of the power MOS transistor at computer analyses of the boost converter is considered. The form of considered thermal model are presented and results of the electrothermal transient analysis of considered converter, obtained at the nonlinearity of the thermal model taking into account and at the omission of this nonlinearity are shown. Investigations were performed for converters containing two different sets of switching semiconductor devices.
Źródło:: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2014, 80; 9-17
1897-0737
Pojawia się w:: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Ocena dokładności firmowych modeli diod Schottkyego z węglika krzemu
Evaluation of models accuracy of SiC Schottky diodes
Autorzy:: Bisewski, D.
Zarębski, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/376490.pdf
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:: modelowanie
dioda Schottky'ego
SPICE
węglik krzemu
Opis:: W pracy przedstawiono wyniki weryfikacji eksperymentalnej wybranych modeli diod Schottky’ego z węglika krzemu, oferowanych przez producentów rozważanych przyrządów półprzewodnikowych. W tym celu modele diod zaimplementowano w programie SPICE i przeprowadzono symulacje wybranych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) tych przyrządów. Przeprowadzono ocenę dokładności modeli poprzez porównanie charakterystyk obliczonych tymi modelami z charakterystykami zmierzonymi diod, dostępnymi w ich kartach katalogowych. Do badań wybrano wykonane z węglika krzemu diody Schottky’ego trzech producentów: ST Microelectronics, GeneSiC oraz Rohm.
The paper presents the results of experimental verification of selected models of the silicon carbide Schottky diodes offered by various manufacturers. Schottky diodes fabricated by ST Microelectronics, GeneSiC and Rohm, were chosen for investigations. Models were implemented in SPICE. Calculations of DC characteristics as well as C-V characteristics of the investigated Schottky diodes, were performed. Evaluation of the models accuracy by means of comparison of the calculated and measured characteristics, were performed.
Źródło:: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2015, 84; 137-144
1897-0737
Pojawia się w:: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Modelling the inﬂuence of self-heating on characteristics of IGBTs in the sub-threshold region
Autorzy:: Górecki, K.
Górecki, P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/397748.pdf
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: IGBT
electrothermal model
self-heating
SPICE
model elektrotermiczny
samonagrzewanie
Opis:: The paper refers to modelling characteristics of IGBT in SPICE software with self-heating taken into account. The form of the electrothermal model of the considered transistor and equations describing this model are proposed. The correctness of the proposed model is veriﬁed experimentally during the operation of the examined transistor at different cooling conditions. Particular attention is paid to the non-typical course of characteristics of the considered device at weak excitation. The shape of the obtained characteristics is discussed and the inﬂuence of the sub-threshold effect in the input MOS structure on these characteristics is analysed.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2014, 5, 4; 149-154
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: New approach to power semiconductor devices modeling
Autorzy:: Napieralski, A.
Napieralska, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308039.pdf
Data publikacji:: 2004
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: power device modeling
SPICE
circuit simulation
VDMOS
PIN diode
IGBT
web-based simulation
Opis:: The main problems occurring during high power device modeling are discussed in this paper. Unipolar and bipolar device properties are compared and the problems concerning high time-constant values related to the diffusion phenomena in the large base are explained. Traditional and novel concepts of power device simulation are presented. In order to make accurate and modern semiconductor device models widely accessible, a website has been designed and made available to Internet users, allowing them to perform simulations of electronic circuits containing high power semiconductor devices. In this software, a new distributed model of power diode has been included. Together with the existing VDMOS macromodel library, the presented approach can facilitate the design process of power circuits. In the future, distributed models of IGBT, BJT and thyristor will be added.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2004, 1; 80-89
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Application of the Averaged Model of the Diode-transistor Switch for Modelling Characteristics of a Boost Converter with an IGBT
Autorzy:: Górecki, Paweł
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/226814.pdf
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: DC-DC converter
IGBT
boost converter
averaged model
diode-transistor switch
modelling
SPICE
Opis:: DC-DC converters are popular switch-mode electronic circuits used in power supply systems of many electronic devices. Designing such converters requires reliable computation methods and models of components contained in these converters, allowing for accurate and fast computations of their characteristics. In the paper, a new averaged model of a diode-transistor switch containing an IGBT is proposed. The form of the developed model is presented. Its accuracy is verified by comparing the computed characteristics of the boost converter with the characteristics computed in SPICE using a transient analysis and literature models of a diode and an IGBT. The obtained results of computations proved the usefulness of the proposed model.
Źródło:: International Journal of Electronics and Telecommunications; 2020, 66, 3; 555-560
2300-1933
Pojawia się w:: International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Systemy wbudowane do celów pomiarowo-kontrolnych w motoryzacji. Proces projektowania i wstępnej diagnostyki
Embedded systems dedicated to measurement and control in the automotive industry. The design process and the initial diagnosis
Autorzy:: Bień, A.
Rzeszutko, J.
Szymański, T.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/155510.pdf
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: AUTOSAR
Matlab
modelowanie
model V
Simulink
TargetLink
TPT
MIL
SIL
PIL
SPICE
MATLAB
V-model
Opis:: W artykule zaprezentowano nowoczesne metody tworzenia aplikacji dla systemów wbudowanych do celów kontrolno-pomiarowych w przemyśle motoryzacyjnym. Przedstawiono podstawy procesu powstania oprogramowania zgodnego ze standardem SPICE. Opisano także wyzwania stojące obecnie przed programistami oraz współcześnie stosowane narzędzia do ich rozwiązywania. Artykuł prezentuje również symulację przykładowego modelu funkcjonalnego zaimplementowanego w środowisku Matlab.
Two types of verification methods, i.e. MIL & SIL, are provided by TargetLink. In the current circumstances, due to higher car electrification, the complexity of the software developed for automotive industry is increased. This situation forces investments in new solutions and programming tools for the development and maintenance of the source code. This paper describes the foundations of software development compliant with the SPICE standard and its well-known model implementation, i.e. V Model (Fig. 1.). The authors focused on the description of the concept behind the application development with the aid of functional models (Fig. 5). Those models are designed in the MATLAB environment, followed by the automatic source code generation using TargetLink, which complies with the AUTOSAR standard. This standard allows automated model integration (applicable to functionalities, e.g. control of windscreen wipers or electric windows). Once designed and tested, the model can be reused in many other projects, which guarantees the identical functionality regardless of the chosen system architecture. This paper describes the simulation example of a model responsible for the car ambient temperature measurement. (Figs. 4, 5). In addition, the simulation covers the operation of the model. The simulation results are shown in Figs. 8 and 9. In order to perform runtime checks of the generated code for any faults, the authors used two types of verification methods provided by TargetLink, i.e. Model In the Loop & Software In the Loop.
Źródło:: Pomiary Automatyka Kontrola; 2014, R. 60, nr 8, 8; 655-659
0032-4140
Pojawia się w:: Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: An accurate prediction of high-frequency circuit behaviour
Autorzy:: Yoshitomi, S.
Kimijima, H.
Kojima, K.
Kokatsu, H.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308807.pdf
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: electro-magnetic simulation
SPICE
circuit test structure
RF CMOS
EKV2.6-MOS model
spiral inductor
CMOS VCO
Opis:: An accurate way to predict the behaviour of an RF analogue circuit is presented. A lot of effort is required to eliminate the inaccuracies that may generate the deviation between simulation and measurement. Efficient use of computer-aided design and incorporation of as many physical effects as possible overcomes this problem. Improvement of transistor modelling is essential, but there are many other unsolved problems affecting the accuracy of RF analogue circuit modelling. In this paper, the way of selection of accurate transistor model and the extraction of parasitic elements from the physical layout, as well as implementation to the circuit simulation will be presented using two CMOS circuit examples: an amplifier and a voltage controlled oscillator (VCO). New simulation technique, electro-magnetic (EM)-co-simulation is introduced.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 47-62
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Adaptive EPFL-EKV Long and Short Channel MOS Device Models for Qucs, SPICE and Modelica Circuit Simulation
Autorzy:: Brinson, M. E.
Nabijou, H.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/398007.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: model adaptacyjny MOS
Qucs
SPICE
Modelica
monitoring parametru
adaptive MOS models
equation-defined device modelling
Verilog-A
EPFL-EKV MOS-FET model
parameter and equation monitoring
EPFL-EKV MOS-FET
Opis:: Equation-defined non-linear functional elements are important building blocks in the development of compact semiconductor device models. Current trends in compact device modelling suggest widespread acceptance among the modeling community of Verilog-A, for semiconductor device specification, model exchange and circuit simulation. This paper outlines techniques for the development of adaptive EPFL-EKV long and short channel MOS models which stress user selectable model features and diagnostic capabilities. Adaptive EPFL-EKV nMOS models based on Verilog-A and Modelica are introduced and their performance compared with simulation data obtained using the "Quite universal circuit simulator" (Qucs), SPICE and the Modelica simulation environment.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2012, 3, 1; 1-6
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "SPICE" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język