Autor: Gorecki, K. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Modelling the inﬂuence of self-heating on characteristics of IGBTs in the sub-threshold region
Autorzy:: Górecki, K.
Górecki, P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/397748.pdf
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: IGBT
electrothermal model
self-heating
SPICE
model elektrotermiczny
samonagrzewanie
Opis:: The paper refers to modelling characteristics of IGBT in SPICE software with self-heating taken into account. The form of the electrothermal model of the considered transistor and equations describing this model are proposed. The correctness of the proposed model is veriﬁed experimentally during the operation of the examined transistor at different cooling conditions. Particular attention is paid to the non-typical course of characteristics of the considered device at weak excitation. The shape of the obtained characteristics is discussed and the inﬂuence of the sub-threshold effect in the input MOS structure on these characteristics is analysed.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2014, 5, 4; 149-154
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Analiza wpływu nieliniowości modelu termicznego tranzystora MOS mocy na charakterystyki przetwornicy boost
Analisys of the influence of nonlinearity of the thermal model of power mosfet on characteristics of boost converter
Autorzy:: Zarębski, J
Górecka, K.
Górecki, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/377219.pdf
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:: modele termiczne
przetwornica boost
SPICE
analiza elektrotermiczna
Opis:: W pracy przeanalizowano zasadność stosowania nieliniowego modelu termicznego tranzystora MOS mocy przy analizach charakterystyk przetwornicy boost. Przedstawiono postać rozważanego modelu termicznego oraz wyniki elektrotermicznej analizy stanów przejściowych badanego układu, uzyskane przy uwzględnieniu nieliniowości modelu termicznego oraz przy pominięciu tej nieliniowości. Badania przeprowadzono dla przetwornic zawierających dwa różne zestawy półprzewodnikowych elementów kluczujących.
In the paper the necessity of using the non-linear thermal model of the power MOS transistor at computer analyses of the boost converter is considered. The form of considered thermal model are presented and results of the electrothermal transient analysis of considered converter, obtained at the nonlinearity of the thermal model taking into account and at the omission of this nonlinearity are shown. Investigations were performed for converters containing two different sets of switching semiconductor devices.
Źródło:: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2014, 80; 9-17
1897-0737
Pojawia się w:: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Gorecki, K." wg kryterium: Autor

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język