Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Sokół, K." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Numerical model of a semiconductor disk laser
Autorzy:
Sokół, A. K.
Sarzała, R. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174528.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
semiconductor disk laser
SDL
vertical-external-cavity surface-emitting laser
VECSEL
computer simulation
numerical modelling
Opis:
In this paper we describe the numerical model of a semiconductor disk laser, developed and implemented in the Photonics Group, Institute of Physics, Lodz University of Technology, Poland. It consists of four strongly interrelated components for: carrier transport, heat flow, material gain and optical phenomena calculations. Combination of these components gives the steady-state self-consistent model which enables a simulation of various aspects of a semiconductor disk laser operation. A numerical analysis of carrier and power losses within the active region of 1.3-μm GaInNAs/GaAs semiconductor disk laser has been carried out using this model.
Źródło:
Optica Applicata; 2016, 46, 2; 199-211
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Pumping Beam Width on VECSEL Output Power
Autorzy:
Sokół, A. K.
Sarzała, R. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226018.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
VECSEL
SDL
semiconductor disk laser
simulation
numerical modeling
power scaling
Opis:
The paper is devoted to a numerical analysis of an influence of a pumping beam diameter on output power of optically pumped vertical-external-cavity surface-emitting lasers. Simulations have been carried out for a structure with a GaInNAs/GaAs active region operating at 1.32 μm. Various assembly configurations have been considered. Results obtained show that laser power scaling is strongly affected by thermal properties of the device.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 3; 239-245
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies