Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "thermionic emission process" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Analysis and investigation of Schottky barrier MOSFET current injection with process and device simulation
Autorzy:
Schwarz, Mike
Calvet, Laurie E.
Snyder, John P.
Krauss, Tillmann
Schwalke, Udo
Kloes, Alexander
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397926.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
Poisson equation
device simulation
field emission
modeling
MOSFET
process simulation
Schottky barrier
Synopsys
TCAD
thermionic emission
tunneling current
równanie Poissona
emisja polowa
modelowanie
symulacja procesu
bariera Schottky'ego
emisja termoelektronowa
prąd tunelowy
Opis:
In this paper we focus on the implementation of a process flow of SB-MOSFETs into the process simulator of the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. An improved structure containing topography is briefly discussed and further device simulations are applied with the latest physical models available. Key parameters are discussed and finally the results are compared with fabricated SB-MOSFETs in terms of accuracy and capability of process simulations.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2018, 9, 1; 1-8
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies