Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Baranov, I." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Magnetoresistive properties of Ni/TiO2/Ti and Ni/SiO2/Si structures: comparative analysis
Autorzy:
Fedotov, A. K.
Streltsov, E.A.
Baranov, I. L.
Svito, I. A.
Malashchonak, M. V.
Mazanik, A. V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/118386.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
Ni/TiO2/Ti
Ni/SiO2/Si
magnetoresistance
magnetorezystancja
Opis:
Magnetoresistive properties of Ni/TiO2/Ti and Ni/SiO2/Si structures obtained using template-based approach have been examined in the temperature range from 2 to 300 K. It was established that the main contribution into observed magnetoresistance is given by the silicon substrate, whereas influence of Ni is negligible small.
Właściwości magnetyczne struktur Ni/TiO2/Ti oraz Ni/SiO2/Si otrzymanych z zastosowaniem tzw. „podejścia szabłonowego” zostały zbadane w zakresie temperatur od 2 do 300 K. Ustalono, że główny wkład do obserwowanej magnetorezystancji jest rezultatem wpływu podłoża krzemowego , podczas gdy wpływ Ni jest znikome mały.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2015, 8; 61-67
1897-7421
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies