Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "YAG laser" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-6 z 6
Tytuł:
Mechanism of nanostructure formation on a surface of CdZnTe crystal by laser irradiation
Autorzy:
Medvid', A.
Mychko, A.
Gnatyuk, V. A.
Levytskyi, S.
Naseka, Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/385161.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Tematy:
self-organizing structure
Nd:YAG laser
CdZnTe crystal
Opis:
Self-organizing nanometer size structures are observed on the surface of CdZnTe crystal irradiated by strongly absorbed Nd:YAG laser irradiation (LR) at intensity range of 4-12 MW/cm2. According to this model the Thermogradient effect has the main role in the interaction process of LR and semiconductors. The surface state of the CdZnTe under the influence of Nd:YAG laser irradiation has been studied. A state has been defined by atom force microscope. The influence of LR on the photoluminescence spectrahas show that at a threshold intensity of LR I=4 MW/cm2 creation of nanometer size structure begins. A graded band gap structure with optical window was formed at the top of nano-hills.
Źródło:
Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems; 2009, 3, 4; 127-129
1897-8649
2080-2145
Pojawia się w:
Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Formation of "black silicon" on a surface of Ni/Si structure by Nd:YAG laser radiation
Autorzy:
Medvid', A.
Karabko, A.
Onufrijevs, P.
Dauksta, E.
Dostanko, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/385280.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Tematy:
black silicon
self-organization
microstructures
Nd:YAG laser
Opis:
We have shown the possibility to form a new type of material known as "black silicon". After irradiation of a Si sample surface, covered with 30 nm thick Ni layer, by Nd: YAG laser beam at intensity 4.5 MW/cm2 the "black silicon" was formed. The formation and self-organization of conelike microstructures on the Ni/Si surface has been detected by scanning electron microscope (SEM). Light is repeatedly reflected between the cones in the way that most of it is absorbed, therefore the surface becomes like a "black body" absorber. The micro-chemical analysis performed on SEM has shown that the microstructures contain NiSi2. This was approved by presence of LO phonon line in Raman back scattering spectrum. The control of micro-cone shape and height was achieved by changing the laser intensity and number of pulses.
Źródło:
Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems; 2009, 3, 4; 140-142
1897-8649
2080-2145
Pojawia się w:
Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pulsed laser induced potassium oxide plasma analyzed by optical emission spectrum technique
Autorzy:
Khalaf, Madyan A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1193329.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:
Laser - Induced Plasma (LIP)
Nd:YAG laser
Optical Emission Spectroscopic
potassium oxide plasma
Opis:
In this work, a spectroscopic research on laser-produced potassium oxide plasma using optical emission spectroscopy (OES) technology is provided. Laser-induced K2O plasma produced at various laser energy has also been defined by visible emission spectroscopy. Plasma is created by a solid potassium oxide object radiated by a pulsed laser in a room environment. A Nd:YAG laser pulse 9 ns in duration with wavelength of (532) nm and a focal length of (10) cm in the range of energy (300-700) mJ is used to generate plasma from a planar K2O sample. The electron temperature (Te) was calculated in ratio line intensities method, while the electron density (ne) was calculated using Saha-Boltzmann equation, also another plasma parameters was calculated such as plasma (fp), Debye length (λD) and Debye number (ND). The increase in electron temperature and density was observed as a function of laser energies. Measurement of the production of the electron temperature in the rang (0.996-1.202) eV, While the electron density is in the rang (1.8×1016-8.8×1016) cm-3.
Źródło:
World Scientific News; 2021, 153, 2; 192-204
2392-2192
Pojawia się w:
World Scientific News
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Verify the plasma parameters generated from the Tin material using the laser-induced plasma technique
Autorzy:
Ahmed, Baida M.
Aadim, Kadhim A.
Khalaf, Madyan A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1030607.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:
Laser-Induced Plasma (LIP)
Nd:YAG laser
Optical Emission Spectroscopic (OES)
Tin (Sn)
Opis:
In this work, A spectroscopic research on laser-produced tin plasma using optical emission spectroscopy (OES) technology is provided. Laser-induced Sn plasma produced at various laser energy has also been defined by visible emission spectroscopy. Plasma is created by a solid tin object radiated by a pulsed laser in a room environment. A Nd:YAG laser pulse 9 ns in duration with wavelength of 1064 nm and a focal length of 10 cm in the range of energy 500-800 mJ is used to generate plasma from a planar Sn sample. The electron temperature (Te) was calculated in ratio line intensities method, while the electron density (ne) was calculated using Saha-Boltzmann equation, also another plasma parameters was calculated such as plasma (fp), Debye length (λD) and Debye number (ND). The increase in electron temperature and density was observed as a function of laser energies. Measurement of the production of the electron temperature in the rang 0.926-0.952 eV, While the electron density is in the rang (1.9×1015-2.5×1015) cm-3.
Źródło:
World Scientific News; 2020, 144; 326-337
2392-2192
Pojawia się w:
World Scientific News
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Laser Nd:YAG generujący na długości fali 1,32 žm
Generation at 1.32 žm in Nd:YAG laser
Autorzy:
Ostrowski, R.
Cywiński, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159782.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
laser 1,32 µm
modulacja dobroci rezonatora
laser Nd:YAG
rezonator dyspersyjny
1.32 mm laser
Q-switching
Nd:YAG laser
dispersive resonator
Opis:
W pracy opisano monoimpulsowy laser Nd:YAG, generujący promieniowanie o długości fali 1,319 žm, do zastosowań w medycynie i renowacji zabytków. Odpowiednio dobrany rezonator pozwolił uzyskać wiązkę wyjściową w modzie podstawowym. Metodami Findlay - Clay'a i Hodgson - Weber'a wyznaczono straty rezonatora, wynoszące 0,3. Ich znajomość oraz wiedza o współczynniku wzmocnienia w ośrodku aktywnym pozwoliła zoptymalizować rezonator. W reżimie generacji swobodnej laser emitował impulsy o energii ponad 200 mJ ze sprawnością różniczkową około 14%. W reżimie modulacji dobroci uzyskano impulsy o energii do 40 mJ i czasie trwania około 29 ns FWHM (moc szczytowa ponad 1,3 MW).
A new model of Q-switched Nd:YAG laser operated at 1.319 žm, for medical and restoration applications, has been presented in the paper. Suitably developed resonator allowed to achieve fundamental mode at the output. By means of Findlay-Clay and Hodgson-Weber methods, passive loses of the resonator have been determined to be 0.3 (i.e. 86% single pass transmission). In free running mode, laser pulses over 200 mJ in energy with slope efficiency about 14% have been obtained, while in Q-switched mode, single pulses of energy up to 40 mJ and durations about 29 ns FWHM (peak power over 1.3 MW) have been generated.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 255; 145-160
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Generacja na linii 1,32 µm w laserze Nd:YAG
Generation at 1.32 µm in Nd:YAG laser
Autorzy:
Ostrowski, R.
Cywiński, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/208558.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
optoelektronika
laser 1,32 µm
modulacja dobroci rezonatora
laser Nd:YAG
rezonator dyspersyjny
optoelectronics
1.32 µm laser
Q-switching
Nd:YAG laser
dispersive resonator
Opis:
W pracy opisano model monoimpulsowego lasera Nd:YAG, generującego promieniowanie o długości fali 1,319 µm do zastosowań w medycynie i renowacji zabytków. Odpowiednio dobrany rezonator pozwolił uzyskać wiązkę wyjściową w modzie podstawowym. Metodami Findlaya-Claya i Hodgsona-Webera wyznaczono pasywne straty rezonatora, wynoszące 0,3 (transmisja rezonatora 86%). Znajomość strat oraz współczynnika wzmocnienia w ośrodku aktywnym pozwoliła zoptymalizować rezonator. W reżimie generacji swobodnej laser emitował impulsy o energii ponad 200 mJ ze sprawnością różniczkową w okolicach 14%. W reżimie modulacji dobroci otrzymywano natomiast impulsy o energii do 40 mJ i czasie trwania około 29 ns FWHM (moc szczytowa ponad 1,3 MW).
A new model of Q-switched Nd:YAG laser operated at 1.319 µm, for medical and restoration applications, has been presented in the paper. Suitably developed resonator allowed us to achieve fundamental mode at the output. By means of Findlay-Clay and Hodgson-Weber methods, passive loses of the resonator have been determined to be 0.3 (i.e. 86% single pass transmission). In free running mode, laser pulses over 200 mJ in energy with slope efficiency about 14% have been obtained, while in Q-switched mode, single pulses of energy up to 40 mJ and durations about 29 ns FWHM (peak power over 1.3 MW) have been generated.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2012, 61, 2; 175-196
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-6 z 6

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies