Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "IGBT" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Selection of 5 kW Converter Leg for Power Electronic System
    Autorzy:
    Zygmanowski, M.
    Michalak, J.
    Jeleń, M.
    Jarek, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/973060.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    IGBT
    Silicon Carbide (SiC)
    MOSFET
    Inverter
    Microgrid
    Opis:
    Three converter leg variants are analyzed for low power converter used for power electronic system for residential buildings. The two-level Si-IGBT and SiC-MOSFET converters are compared with Si-IGBT three-level T-type converter. Power losses generated in each of these converters over a predicted period of 20 years of operation are contrasted with the cost of converter options. The detailed selection procedure for output inductor is presented in this paper. This procedure shows the influence of the inductor parameters like number of turns, air gap length on its losses, cost and size. Theoretical approach is verified with simulations and experimental results.
    Źródło:
    Measurement Automation Monitoring; 2017, 63, 8; 282-287
    2450-2855
    Pojawia się w:
    Measurement Automation Monitoring
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    A comparison study of the features of DC/DC systems with Si IGBT and SiC MOSFET transistors
    Badania porównawcze sprawności układów DC/DC z tranzystorami Si IGBT oraz tranzystorami SiC typu MOSFET
    Autorzy:
    Fatyga, K.
    Kwaśny, Ł.
    Stefańczak, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408426.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    IGBT
    SiC
    transistor
    MOSFET
    DC/DC converter
    tranzystor
    przekształtnik DC/DC
    Opis:
    This paper presents a comparison of the efficiency of two bidirectional DC/DC converters based on dual H-bridge topology. Tested converters were built using Si-based IGBT transistors and SiC-based MOSFETs. The results of the research are efficiency characteristics, taken from tests at the frequency range of 10÷60 kHz. Analysis of the results points to a massive advantage of the SiC-based design over the Si-based one.
    W artykule zaprezentowano badania porównawcze sprawności dwóch dwukierunkowych przekształtników DC/DC wykonanych w topologii podwójnego mostka H. Badane przekształtniki wykonano w technologii krzemowej z tranzystorami IGBT oraz w technologii węglika krzemu z tranzystorami SiC MOSFET. Rezultatem badań są charakterystyki sprawności uzyskane z testów przy częstotliwości pracy w zakresie 10÷60 kHz. Analiza uzyskanych wyników wskazuje na zdecydowaną przewagę rozwiązania wykonanego w technologii węglika krzemu nad rozwiązaniem z tranzystorami krzemowymi IGBT
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 2; 68-71
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelling and simulation of sinusoidal pulse width modulation controller for solar photovoltaic inverter to minimize the switching losses and improving the system efficiency
    Autorzy:
    Panneerselvam, Sivaraj
    Kandasamy, Karunanithi
    Perumal, Chandrasekar
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2135736.pdf
    Data publikacji:
    2022
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    efficiency
    IGBT
    MOSFET
    PV inverter
    MATLAB/SIMULINK
    SPWM controller
    switching loss
    Opis:
    With the extinction of fossil fuels and high increase in power demand, the necessity for renewable energy power generation has increased globally. Solar PV is one such renewable energy power generation, widely used these days in the power sector. The inverters used for power conversion suffer from power losses in the switching elements. This paper aims at the detailed analysis on switching losses in these inverters and also aims at increasing the efficiency of the inverter by reducing losses. Losses in these power electronic switches vary with their types. In this analysis the most widely used semiconductor switches like the insulated gate bipolar transistor (IGBT) and metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) are compared. Also using the sinusoidal pulse width modulation (SPWM) technique, improves the system efficiency considerably. Two SPWM-based singlephase inverters with the IGBT and MOSFET are designed and simulated in a MATLAB Simulink environment. The voltage drop and, thereby, the power loss across the switches are compared and analysed. The proposed technique shows that the SPWM inverter with the IGBT has lower power loss than the SPWM inverter with the MOSFET.
    Źródło:
    Archives of Electrical Engineering; 2022, 71, 3; 615--626
    1427-4221
    2300-2506
    Pojawia się w:
    Archives of Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparison of Electrical Performances of Power Electronics Switches and an Effective Switch Selection Algorithm
    Autorzy:
    Zenk, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1031000.pdf
    Data publikacji:
    2018-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    power electronics switches (PES)
    switch selection algorithm (SSA)
    IGBT
    MOSFET
    BJT
    diode
    Opis:
    Electronics switches commonly used in power electronics circuits are the part of the electronics system depending on energy efficiency, circuit topology, switching matrix design, interaction with filter elements, and many other parameters. For the first new switch design prototype to identify of electrical efficiency of the semiconductor switch working with a system, it is very important that estimation of the variables saves time, labor, and economical resources. In this study, the new algorithm is proposed and applied to circuit estimate efficiency of power electronics switches. The current-voltage-power capacities, switching rate, power losses, physical dimensions, heating levels of power electronics switches used in the circuit are investigated and algorithmically estimated according to the result of experimental performance switches.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2018, 133, 4; 897-901
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies