- Tytuł:
-
Analiza strat powstających podczas załączania pary tranzystorów mocy MOS-FET oraz IGBT, pracujących w przekształtnikach rezonansowych
Analysis of power losses during turning on pair of power transistors MOS-FET and IGBT working in resonant inverter - Autorzy:
- Balcerak, M.
- Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/159538.pdf
- Data publikacji:
- 2010
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
- Tematy:
-
sterowanie tranzystorami
praca równoległa tranzystorów
minimalizacja strat mocy
sterowniki
drivery
podwyższenie sprawności
porównywanie tranzystorów
tranzystory
przekształtniki impulsowe
KPS - Opis:
-
W niniejszym artykule przedstawiono topologię rezonansowego układu przekształtnikowego służącego do generacji bardzo krótkich impulsów o wysokiej mocy. Omówiono celowość równoległego łączenia ze sobą dwóch typów tranzystorów: MOS-FET i IGBT, pracujących jako klucze w przekształtnikach rezonansowych typu Kicker Power Supply (KPS). Przedstawiono wpływ niejednoczesności załączenia tranzystorów na sprawność przetwornicy oraz na straty mocy na tych tranzystorach. Zwrócono również uwagę na opóźnienia czasu załączania wprowadzane przez sterowniki tranzystorów mocy. Omówiono także wpływ wartości rezystancji łączącej sterownik z tranzystorem mocy na sprawność przetwornicy rezonansowej.
Paper presents topology of resonant inverter which is used to generate very short, high-power pulses. Advisability of parallel connecting two kinds of transistors: MOS-FET and IGBT, working as keys in resonant inverters in Kicker Power Supply (KPS) were discussed. Influence of unsimultaneity of turning on transistors to efficiency of inverter and the power losses on these transistors was presented. Paper discussed also the delays added by the drivers of power transistors and the influence of value of resistance connecting driver with power transistor on efficiency of resonant inverter. - Źródło:
-
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 246; 59-72
0032-6216 - Pojawia się w:
- Prace Instytutu Elektrotechniki
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł